新数字电子技术 教学课件 王秀敏主编11 11.2.pptVIP

2. 一次性可编程ROM（PROM）。出厂时，存储内容全为1（或全为0），用户可根据自己的需要进行编程，但只能编程一次。 在线教务辅导网： 教材其余课件及动画素材请查阅在线教务辅导网 QQ:349134187 或者直接输入下面地址： 11.2 只读存储器ROM ②存储的数据不会因断电而消失，具有非易失性。 特点： ①只能读出，不能写入； 1. 固定ROM（掩模ROM ）。厂家把数据“固化”在存储器中，用户无法进行任何修改。使用时，只能读出，不能写入。 ROM的编程是指将信息存入ROM的过程。 U CC 字线 W i 位线 D i 熔丝 用户对PROM编程是逐字逐位进行的。首先通过字线和位线选择需要编程的存储单元，然后通过规定宽度和幅度的脉冲电流，将该存储管的熔丝熔断，这样就将该单元的内容改写了。 熔丝型PROM的存储单元 一. ROM的基本结构 ROM主要由地址译码器、存储矩阵和输出缓冲器三部分组成，其基本结构如图所示。 3. 紫外线擦除可编程ROM（EPROM）。采用浮栅技术，可通过紫外线照射而被擦除，可重复擦除上万次。 5. 快闪存储器（Flash Memory）。也是采用浮栅型MOS管，存储器中数据的擦除和写入是分开进行的，数据写入方式与EPROM相同，一般一只芯片可以擦除/写入100万次以上。 4. 电可擦除可编程ROM（E2PROM）。也是采用浮栅技术，用电擦除，可重复擦写100次，并且擦除的速度要快的多。E2PROM的电擦除过程就是改写过程，它具有ROM的非易失性，又具备类似RAM的功能，可以随时改写。 ROM的基本结构 字线 位线 存储单元可以由二极管、双极型三极管或者MOS管构成。每个存储单元可存储1位二值信息（“0”或“1”）。 按“字”存放、读取数据，每个“字”由若干个存储单元组成，即包含若干“位”。字的位数称为“字长”。 每当给定一组输入地址时，译码器选中某一条输出字线Wi，该字线对应存储矩阵中的某个“字”，并将该字中的m位信息通过位线送至输出缓冲器进行输出。 二极管ROM结构图 二.二极管ROM 字线 位线 “1” 制作芯片时，若在某个字中的某一位存入“1”，则在该字的字线与位线之间接入二极管，反之，就不接二极管。 ROM的数据表 1 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 0 0 1 0 1 0 0 0 1 1 0 1 1 D3 D2 D1 D0 A1 A0 数 据 地 址 地址译码器实现地址码的与运算，每条字线对应一个最小项。 存储矩阵实现字线的或运算。