新数字电子技术 教学课件 王秀敏主编11 11.4.pptVIP

在线教务辅导网： 教材其余课件及动画素材请查阅在线教务辅导网 QQ:349134187 或者直接输入下面地址： 11.4 随机存储器RAM ②断电后存储的数据随之消失，具有易失性。 特点： ①可随时读出，也可随时写入数据； 根据存储单元的工作原理不同，RAM分为静态RAM和动态RAM。 静态RAM: 优点:数据由触发器记忆,只要不断电,数据就能永久保存。 缺点:存储单元所用的管子数目多,功耗大,集成度受到限制。 动态RAM: 优点:存储单元所用的管子数目少,功耗小,集成度高。 缺点:为避免存储数据的丢失,必须定期刷新。 一、SRAM的基本结构 SRAM主要由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路三部分组成. SRAM的基本结构 CS称为片选信号。 CS=0时，RAM工作； CS=1时，所有I/O端均为高阻状态，不能对RAM进行读/写操作。 R/W称为读/写控制信号。 R/W=1时，执行读操作； R/W=0时，执行写操作。 存储容量＝字数×位数 ＝2n×m位 二、SRAM静态存储单元 U DD V 4 V 2 Q Q V 1 V 3 V 5 V 6 V 7 V 8 I/O I/O 列选线 Y 行选线 X 存储 单元 位 线 D 位 线 D (a) 六管NMOS存储单元 基本RS触发器 无论读出还是写入操作，都必须使行选线X和列选线Y同时为“1”. U DD V 4 V 2 V 6 V 5 V 1 V 3 V 7 V 8 Y I/O I/O 位 线 D 位 线 D X (b)六管CMOS存储单元 PMOS管 三、动态随机存储器(DRAM) V 4 V 3 V 1 V 2 V 7 V 8 Y D D 位 线 D 位 线 D C 1 C 2 C O 1 C O 2 Q Q 预充脉冲 V 5 V 6 X 存储 单元 U C 1 U C 2 U C C 四管动态MOS存储单元 动态MOS存储单元利用MOS管的栅极电容来存储信息，但由于栅极电容的容量很小，而漏电流又不可能绝对等于0，所以电荷保存的时间有限。为了避免存储信息的丢失，必须定时地给电容补充漏掉的电荷。通常把这种操作称为“刷新”或“再生”。 刷新之间的时间间隔一般不大于 20ms。 动态MOS存储单元有四管电路、三管电路和单管电路等。 V 4 V 3 V 1 V 2 V 7 V 8 Y D D 位 线 D 位 线 D C 1 C 2 C O 1 C O 2 Q Q 预充脉冲 V 5 V 6 X 存储 单元 U C 1 U C 2 U C C 四管动态MOS存储单元 写入数据： X=Y=“1” 0 1 1 0 1 0 0 1 读出数据： Q=0时，读出D=0； Q=1时，读出D=1； X=Y=“1” 1 0 CO1、CO2预充电 0 1 D=1时，C2充电，写入Q=1； D=0时，C1充电，写入Q=0。 ①写入信息时，字线为高电平，VT导通，位线上的数据经过VT存入CS。 ②读出信息时，字线为高电平，VT管导通，这时CS经VT向CO充电，使位线获得读出的信息。这是一种破坏性读出。因此每次读出后，要对该单元补充电荷进行刷新，同时还需要高灵敏度读出放大器对读出信号加以放大。 四、单管动态MOS存储单元 字选线 位线 D (数据线) C O 输出电容 VT C S 存储电容