新集成电路芯片制造实用技术 教学课件 卢静 第6章 光刻工艺.pptVIP

第六章 光刻工艺 6.1 概述 6.2 光刻工艺 6.3 光刻方式 6.4 光刻胶与掩膜版 6.5 光刻工艺设备 6.1 概述 一、 衬底材料对光刻工艺的影响 衬底材料对光刻工艺的影响，概括说来有三个方面：表面清洁度、表面性质(疏水或亲水)和平面度。主要介绍表面清洁度和平面度对光刻质量的影响，以及检测和改善的方法。 二、 增粘处理 光刻胶与衬底之间粘附力的大小对光刻质量有极大影响。而对粘附力影响最大的，是衬底的表面性质。 SiO2是主要的刻蚀对象，因此下面主要介绍改善SiO2表面性质的处理方法。 6.2 光刻工艺 在硅片上制作器件或电路时，为进行定域掺杂与互连等，需要多次用SiO2进行掩蔽加工，因而就需要进行多次的光刻。每块集成电路一般要进行6～7次光刻。各次光刻的工艺条件略有差异。一般都要经过涂胶，前烘、曝光、显影、后烘、刻蚀和去胶七个步骤。 一．涂胶 1.涂胶步骤 二．前烘 涂胶后的胶膜要立即进行烘干。一般是在80oC温度下烘烤10～15分钟。烘烤的温度不能过高，时间不能太长，否则会造成显影困难。例如温度若在100oC以上，由于增感剂挥发而造成曝光时间增长，甚至完全显不出图形来。 另一种烘烤方法是，用红外光从硅片背面照射，并透过硅片加热，位于SiO2和胶的界面先开始干燥。这种使溶剂从内部向外蒸发的方法是一种较好的干燥方法。 三．曝光 曝光就是对涂有光刻胶且进行了前烘之后的硅片进行选择性的光照，曝光部分的光刻胶将改变其在显影液中的溶解性，经显影后在光刻胶膜上得到和“掩膜”相对应的图形。 四．显影 显影是把曝光后的硅片放在显影液里，将应去除的光刻胶膜溶除干净，以获得腐蚀时所需要的抗蚀剂膜保护图形。 显影液和显影时间的选择对显影效果的影响是极为重要的。显影液的选择原则是：对需要去除的那部分胶膜溶解得快，溶解度大，对需要保留的那部分胶膜的溶解度极小。 五．坚膜 坚膜是在一定的温度下，将显影后的片子进行烘干处理，除去显影时胶膜所吸收的显影液和残留水分，改善胶膜与基片间的粘附性．增强胶膜的抗蚀能力，以及消除显影时所引起的图形变形。 坚膜的温度和时间要合适。若温度太低，时间过短，抗蚀剂胶膜没有烘透，胶膜就不坚固，腐蚀时易脱胶；若温度过高，时间过长，则抗蚀剂胶膜因热膨胀而翘曲和剥落，腐蚀时也容易产生钻蚀或脱胶，还可能引起聚合物分解，产生低分子化合物，影响粘附性能，削弱抗蚀能力。此外，坚膜时最好采用缓慢升温和自然冷却降温的方式，以及从背面烘烤的办法。 六．腐蚀 腐蚀就是用适当的腐蚀剂，对未被胶膜覆盖的二氧化硅或其他性质的薄膜进行腐蚀，按照光刻胶膜上已经显示出来的图形，进行完整、清晰、准确的腐蚀，达到选择性扩散或金属布线的目的。它是影响光刻精度的重要环节。 对腐蚀剂的要求有： (1)只对需要腐蚀的物质进行腐蚀。 (2)对抗蚀剂胶膜不腐蚀或腐蚀很小。 (3)腐蚀因子要大于一定的数值。腐蚀因子定义为：当腐蚀线条时，腐蚀的深度与一边的横向增加量的比值。它的值大则表明横向腐蚀速度小，腐蚀效果好，常用来衡量腐蚀的质量。 (4)腐蚀液毒性小，使用方便，腐蚀图形边缘整齐、清晰。 七．去胶 去胶是常规光刻工艺的最后一道工序，简单地讲，是使用特定的方法将经过腐蚀之后还留在表面的胶膜去除掉。通常，采用的去胶方式有溶剂去胶、氧化去胶、等离子体去胶等方式。 6.3 光刻方式 一、曝光光源 常用的紫外线光源是高压汞灯。其发射光谱中有几条很强的谱线，它们分别是313nm、334.2nm、365nm、404.7nm及435.8nm。对光刻胶起感光作用的主要是365nm(I线)、404.7nm(H线)、435.8nm(G线)三条谱线。 几种常见的曝光方法 接触式曝光：分辨率较高，但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。 接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(10～25?m)，可以大大减小掩膜版的损伤，分辨率较低 投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式 三、超细线条曝光技术 远紫外线曝光 电子束光刻 离子束光刻 X射线 6.4 光刻胶与掩膜版 光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 一、 光刻胶 光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体 光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定显影溶液中的溶解特性改变 光刻胶的主要性能 (1)灵敏度 (2)对比度 (3)分辨能力 (4)光吸收度 (5)耐刻蚀度 (6)纯度 (7)粘附性 二、 光刻掩膜版 1.掩膜版的制备流程 (1)空白版的制备 (2)数据转换 (3)刻画 (4)形成图形 (5)检测与修补 (6)老化与终检 掩膜版上的图形 ①