新汽车电工电子技术 教学课件 李子云、李树金、姜浩、姜小东 学习情境5 任务2 认知晶体管.pptVIP

任务2 认知晶体管 5.2.1 晶体管的基本结构 半导体二极管内部只有一个PN结，若在半导体二极管P型半导体的旁边，再加上一块N型半导体，如图5-32（a）所示，则这种结构的器件内部有两个PN结，且N型半导体和P型半导体交错排列形成三个区，分别称为发射区、基区和集电区。从三个区引出的引脚分别称为发射极、基极和集电极，用符号E、B、C来表示。处在发射区和基区交界处的PN结称为发射结；处在基区和集电区交界处的PN结称为集电结。具有这种结构特性的器件称为三极管。 　因图5-33（a）所示晶体管的三个区分别由NPN型半导体材料组成，所以，这种结构的晶体管称为NPN型晶体管， 图5-33（b）是NPN型晶体管的符号，符号中箭头的指向表示发射结处在正向偏置时电流的流向。 根据同样的原理， 也可以组成PNP型晶体管， 图5-29为PNP型晶体管的内部结构和符号。 对于晶体管，从符号区分方法是有箭头的电极是发射极，箭头朝外的是NPN型晶，而箭头朝内的是PNP型。实际上箭头所指的方向是电流的方向。 5.2.2 晶体管的分类 （1）按材料分：锗晶体管，硅晶体管。 （2）按结构分：NPN晶体管，PNP晶体管。 （3）按制造工艺分：低频锗合金管，高频锗合金扩散台面管，硅外延平面管。 （4）按工作频率分：高频管（f3MHz）,低频管（f3MHz ）。 （5）按功率分：大功率管(P1w),中功率管(P=0.5～1w),小功率管(P0.5w)。 （6）按封装型式分：玻璃壳封装管（中小功率），金属壳封装管（中小功率），陶瓷环氧封装管（小功率），塑料封装管（大、中、小功率），G型金属封装管（大功率带螺杆），F型金属封装管（大功率），方型金属封装管（大功率）。 图5-34是常见晶体管的外形和管脚排列 5.2.2 晶体管的电流放大作用 　　具有电流放大作用的晶体管，PN结内部结构的特殊性有以下几点。 　　（1）为了便于发射结发射电子，发射区半导体的掺杂浓度远高于基区半导体的掺杂浓度，且发射结的面积较小。 （2）发射区和集电区虽为同一性质的掺杂半导体，但发射区的掺杂浓度要高于集电区的掺杂浓度，且集电结的面积要比发射结的面积大，便于收集电子。 　　　 （3）联系发射结和集电结两个PN结的基区非常薄，且掺杂浓度也很低。  上述的结构特点是晶体管具有电流放大作用的内因。要使晶体管具有电流的放大作用，除了晶体管的内因外，还要有外部条件。晶体管的发射结为正向偏置、集电结为反向偏置是晶体管具有电流放大作用的外部条件。晶体管内部载流子的运动可分为三个过程，下面以NPN型晶体管为例来讨论（共射极接法），如图5-35是三极管的三种接法。图5-36是三极管中电子运动示意图。 1.发射区向基区发射电子的过程 　　发射结处在正向偏置，使发射区的多数载流子（自由电子）不断地通过发射结扩散到基区，即向基区发射电子。与此同时，基区的空穴也会扩散到发射区，由于两者掺杂浓度上的悬殊，形成发射极电流IE的载流子主要是电子，电流的方向与电子流的方向相反。发射区所发射的电子由电源VCC的负极来补充。 　 2．电子在基区中的扩散与复合的过程 　　扩散到基区的电子，将有一小部分与基区的空穴复合，同时基极电源EBB不断地向基区提供空穴，形成基极电流IB。 由于基区掺杂的浓度很低，且很薄，在基区与空穴复合的电子很少，因而，基极电流IB也很小。扩散到基区的电子除了被基区复合掉的一小部分外，大量的电子将在惯性的作用下继续向集电结扩散。 3.集电结收集电子的过程　 反向偏置的集电结在阻碍集电区向基区扩散电子的同时，空间电荷区将向基区延伸，因集电结的面积很大，延伸进基区的空间电荷区使基区的厚度进一步变薄，使发射极扩散来的电子更容易在惯性的作用下进入空间电荷区。集电结的空间电荷区，可将发射区扩散进空间电荷区的电子迅速推向集电极，相当于被集电极收集。集电极收集到的电子由集电极电源VCC吸收，形成集电极电流IC。 调节电位器RB，使IB、IC均发生变化，通过测量可得表5-1所示数据。 根据上面的分析和节点电流定律可得，晶体管三个电极的电流IE、IB、IC之间的关系为 (1) IE= IB +IC (2) IB的微小变化会引起IC的较大变化。如：  ΔIB =(0.028-0.01)mA=0.018 mA ΔIC=(1.972-0.99)mA=0.982 mA = =54.6 这种由于基极电流的微小变化而引起集电极电流的较大变化的控制作用称为晶体管的电流放大作用。 5.2.3 晶体管的特性曲线 1.输入特性曲线 输入特性曲线是描述晶体管在管压降UCE保持不变的前提下，基极电流iB和发射结压降uBE之间的函数关系，即 iB=f(uBE) u