电子束物理气相沉积法制备SiC薄膜性能及研究.pdfVIP

电子束物理气相沉积法制各SiC薄膜及性能研究 摘要 Sic半导体材料因为具有带隙宽、热导率高、临界击穿电场高以及饱和载 流子漂移速度快等特点，因此在高温、高频、抗辐射和大功率等领域具有 广阔前景。电子束物理气相沉积(EB．PvD)是以电子束作为热源的一种真空 蒸发镀膜方法，即在高真空条件下，利用高能量密度的电子束轰击靶材表 面，使之熔化、蒸发并在基片上沉积形成薄膜。与其他薄膜制备技术相比， EB—PVD技术具有蒸发速率快和薄膜质量好等优势。 本文首先介绍了SiC薄膜的结构、理化性质和光电性质，并对sic薄 膜的研究历史及其应用现状进行了阐述，介绍了本论文的研究背景、研究 内容和研究意义；然后，论文详细介绍了物理气相沉积法(PVD)和化学气 相沉积法(CVD)制各薄膜的方法及新相形核、连续薄膜的形成、薄膜的生 长等三个薄膜的生长阶段；论文重点介绍了采用EB．PVD方法制备SiC薄 膜并对工艺参数进行了优化的过程。 薄膜；在相同膜厚情况下，退火温度越高，SiC薄膜结晶质量越好，薄膜 表面平均粗糙度越低；在相同退火条件下，薄膜厚度越厚，薄膜表面平均 粗糙度越低；在SiC薄膜上施加相同的电压时，紫外光条件下所测的电流 最大，白光次之，黑室电流最小；在相同条件下，薄膜越厚