等离子体增强原子层沉积技术及研究.pdfVIP

O 等离子体增强原子层沉积的研究 等离子体增强原子层沉积技术研究 摘要 在集成电路的纳米级微型化趋势下，随着半导体科学技术不断更 新换代，原子层沉积技术(AtomicLayer 备受关注。由于ALD技术具有沉积厚度纳米级可控，成膜均匀，保型 性好等优点，所以在高K介质材料的制备中应用广泛，而且有可能成 为纳米半导体领域的新一代沉积技术。但是常规的热ALD技术由于沉 积速率过低和对某些沉积薄膜的沉积温度要求过高，使其在工业应用 中受到限制。为了克服ALD技术这两个缺点，很多课题组提出了不同 的解决方法，例如强氧化剂辅助原子层沉积，磁控等离子体辅助原子 层沉积等方法。而本文主要针对ALD沉积对最低沉积阈值温度要求高 这一缺点提出了改进办法，即用脉冲调制的射频等离子体技术来辅助 ALD技术，以改进其不足，使ALD技术在较低温度下(100℃以下) 在热敏感的基底上沉积薄膜。 本文首先阐述了纳米薄膜技术的应用及发展情况，然后分别对原 子层沉积技术的原理、特点、应用和等离子体的定义、产生、分类、 应用等进行了概述。并在合理的理论依据下，结合它们的优缺点将它 们融合在一