器件不匹配特性对温度和电压效应模型.pdfVIP

中文摘要 这篇论文以O．131xm CMOS器件的不匹配性为研究对象，主要模拟其温度和电压效 参数的不匹配性均与器件面积的平方根成反比。基于这个平方根，对这几项参数的不 匹配性作温度和偏置电压效应的分析，并提供一套完整的解决方案。 英文摘要 This focuseson theeffect paper modeling of and forO．13m temperature voltage CMOSdevice mismatch．Itisobservedthatthethreshold voltage(V曲)，gainfactor(p)and linearandsaturation current(Ids)in mismatch linear onthe region depend inverseofthe rootofthe square devicearea．Based onthe squareroot，a resolutionwith complete mismatchbiasand body effectis and temperature forlinearand analyzed satLlratcd supplied Vtll．BetaandIds． 2 引 言 特定工艺条件下的器件不匹配程度决定了电路的最终设计精度和成品率，电路设 计者需要精确的MOSFET不匹配模型来约束电路优化设计，版图设计者需要相应的设 计规则来减小芯片不匹配。尤其是在CMOS-V艺器件尺寸进入深亚微米范围后，器件 不匹配随着器件尺寸的减小而越发严重，制约了射频以及模拟集成电路的性能。器件 不匹配主要影响差分对、电流镜、分压电路、带隙基准电压源、匹配I／Q通道、MPU 中的平衡时钟树等电路。在A／D转换器、D／A转换器、开关电容滤波器、电流源中器件 不匹配对数据转换、比例电流分配的精度影响至关重要。器件不匹配会导致电流镜的 偶次谐波失真、运算放大器的输入失调电压，劣化差分电路的共模抑制比，降低混频 器的线性度／镜相抑制能力，影响VCO的相位噪声等等。当然，数字电路也不是完全 不考虑器件不匹配的影响，在大规模存储器的设计中，必须考虑晶体管不匹配对子存 储单元时钟信号偏斜的影响。 在CMOS工艺中，MOSFET不匹配对电路的影响往往比无源器件大得多，而且不 匹配的机理更为复杂。前人的研究成果证明【4，t 9’111，MOSFET不匹配与其设计参数(W、 L)和偏置条件都有关，因此与噪声、线性度、功耗等其它性能指标一样，不匹配需要 在电路设计和版图设计阶段做充分考虑。不匹配是半导体统计描述中的一部分。 MOSFET不匹配包括梯度误差(gradient