《一种新型FS-CIGBT器件设计及仿真.》.pdfVIP

半导 器件 SemicOnductOrDeviee DOI：10．3969／j．issn．1003—353x．2013．08．008 一 种新型 FS-CIGBT器件设计及仿真 谈景飞 ，王波 ，朱阳军 (1．中国科学院微电子研究所，北京100029；2．江苏物联网研究发展中心，江苏 无锡 214135) 摘要 ：由于新型高压场终止型绝缘栅双极晶体管 (FS-CIGBT)器件结构与普通 IGBT器件结 构相比，增加了一层 P阱及 n阱的结构 ，因此会产生电势的 自钳位效应 ，保护器件正面结构 ，防 止 出现高压失效现象，提高器件的可靠性 ，同时会 降低器件的正向导通压降以及开关损耗。鉴于 新结构器件的优势，借助仿真软件 SentaurusTCAD，设计 了新型FS—CIGBT器件的各项结构参数 以及工艺制造流程，并仿真模拟 了其各项 电学特性参数 。仿真得到FS-CIGBT的击 穿 电压为 8129V．在额定电流密度 25A／cm 条件下 ，导通压降为 3．6V，器件关断损耗为 103mJ／cm ， 且各项特性参数均优 于普通结构的 IGBT器件的特性 。 关键词：场终止型绝缘栅双极 晶体管 (FS—CIGBT)；绝缘栅双极型 晶体 管 (IGBT)； 自钳 位 ；仿真 ；电学特性；可靠性 中图分类号：TN322．8 文献标识码：A 文章编号：1003—353X (2o13)08-0593—05 Designand Simulation ofaNovelGateBipolarTransistor Device— FS．CIGBT TanJingfei，WangBo。 ， ZhuYangjun， (1．InstituteofMicroelectronics，ChineseAcademyofSciences，Bejiing100029，China； 2．JiangsuRDCenterforInternetofThings，Wuxi214135，China) Abstract：Thefieldstopclusteredinsulatedgatebipolartransistor (FS—CIGBT)isanovelhigh voltagedevice，whichhasanextraPwellandnwelllayerincontrasttotheordinaryIGBT．TheextraP wellandnwellwillinducetheself—clampedeffectinthestructure，whichcanprotectthefrontstructure inthehighvoltagemodeandimprovethereliabilityofthedevice． Atthesametime，thelossofon．state andturn—off issmaller．AllkindsofparametersoftheFS—CIGBT andthetechnologyprocesstofabricate thedevicewere designed with the help ofSentaurusTCAD simulation software． Then the electrical propertiesofFS—CIGBTaresimulated，whosebreakdownvoltageis8 129V ，on·statevoltageis3．6V at 25A／cm ，lossofturn—off is103mJ／cm ．ThesearebetterthanthoseoftheIGBT．