Cascode型GaN HEMT输出伏安特性及其在单相逆变器中的应用研究.pdfVIP

2015年 7 月 电 工 技 术 学 报 Vol-30 NO．14 第30卷第14期 TRANsAcT10NsOFCHI垒里星! !呈坚 垒 呈! Ju1． 2015 Cascode型GaNHEMT输出伏安特性及其 在单相逆变器中的应用研究 李 艳 张雅静 黄 波 郑琼林 郭希铮 (北京交通大学电气工程学院电力 电子研究所 北京 100044) 摘要 近年来随着氮化镓器件制造工艺的迅速发展，氮化镓高电子迁移率晶体管 (GaN HEMT)已经开始应用在电力电子领域。高压共源共栅 (Cascode)GaN HEMT 的出现使得 GaN 器件可以在高压场合进行应用。本文首先研究了耗尽型GaNHEMT及CascodeGaNHEMT全范围 输出伏安特性及其特点。结合SiMOSFET和耗尽型GaNHEMT的特性，本文重点研究了Cascode GaNHEMT的S-作模态及其条件。最后，给出了500W基于600VCascodeGaNHEMT单相全桥 逆变器的实验验证。实验结果和仿真验证证明了理论分析的正确性。 关键词：宽禁带半导体器件 GaNHEMT 共源共栅结构 输出伏安特性 中图分类号 ：TM464 ResearchonOutputVolt—ampereCharacteristicsofCascodeGaN HEM T andItsApplicationinSingle-phaseInverter LiYan ZhangYajing TrillionQ．Zheng HuangBo GuoXizheng (InstituteofPowerElectronicsofBeringJiaotongUniversity Bering 100044 China) Abstract：In recentyearswith the rapid developmentofthe manufacturing processofGaN devices．GalliumNitridehighelectronmobilitytransistors(GaNHEMT)hasbeguntobeappliedinthe fieldofDowerelectronics．TheappearanceoftheCascodeGaN HEM TmakesitpossibletoapplyGaN deviceinhighvoltageapplication．Theoutputvolt—amperecharacteristicsofthedepletionmodeGaN HEMT andCascodeGaN HEMT areinvestigatedindetail，whichisimportantfortheoperationmode oftheCascodeGaN HEM T．Thispaperpresentsthesteady-stateoperationmodeforhigh voltage gallium nitride(GaN)high-electron—mobilitytransistors(HEMT)inaCascodestructure．Thesteady。 stateanalysisisverifiedbya500W singlephaseDC／AC inverter．Theoreticalanalysisisverifiedby simulationandexperimentresults． Keywords：W ideBandgapSemiconductorDevice；GaN HEM T；Cascode；Outputvolt—ampere characterjstics 引言 HEMT器件的额定 电压最大能达到 250V。对于单体 增 强型 GaN HEMT，当其驱动 电压达 到阀值 电压 以SiC和