二氧化钒纳米粉末和掺杂薄膜的制备及其光电特性的研究.pdfVIP

二氧化钒纳米粉末和掺杂薄膜的制备及其光电特性的研究.pdf

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二氧化钒纳米粉末和掺杂薄膜的制备 及光电特性研究 学科:挝抖堂 作者:盆盟遗 作 者(签名): 导师: 查臣渲熬援 导师(签字): 赵鏖副麴援 叁虚 答辩日期:塑02…3 摘 要 研究了以V205粉末为原料,通过液相沉淀法和溶胶一凝胶真空蒸发还原沉积法 制备V02纳米粉末和以v205粉末为原料,M003粉为掺杂剂,通过无机溶胶一凝胶法 红外光谱等测试分析手段研究了V02纳米粉末和掺杂薄膜的制备及相关物理特性。 制粉研究发现:液相沉淀法制各的V02纳米粉末,在晶化过程中,微粒不断长大, 经400℃真空晶化10h可实现完全晶化,其晶粒粒径介于/0~20nm:采用溶胶一凝胶 真空蒸发还原沉积法制备的V02粉末其单颗粒尺寸介于70,--90rim,但单颗粒之间彼此 连接,并以聚集晶团或连段形式存在。经红外光谱分析表明V02纳米粉末具有显著的 红外光透过率突变特性,且随粒度的减小其红外光透过率突变量增大。 无机溶胶一凝胶法制备掺Mo”的V02相变薄膜研究发现:所制备的掺杂薄膜其 主要成分是V02,掺入的M003结构未发生改变。掺杂薄膜随M003含量的增加其电 阻突变温度明显下降,但其电阻突变量级和红外光透过率的突变量亦随之降低,其中, 电阻突变量级的下降趋势更显著。不过只要MoO,掺杂量不高于5%时,掺杂薄膜的电 阻突变仍可保持2个量级以上,一般不影响其使用功能,因此有望使电阻突变温度降 至室温范围。 关键词:五氧化二钒,V02纳米粉末,V02掺杂薄膜,V02光电特性 ——本研究得到陕西省自然科学基金(2000C32)的资助 T ELECTRICALPROPERTIES ON AND STUDYOPTICAL POWDER REPARATIONOF NANOMETER AND V02 ANDDOPEDFILM MaterialScience Speciality Candidate:2£堕曼hig.mg Chengqing—— Supervision:Pro.Gu Kang Asso——.Pro.Zhao ABSTRACT nanometerWas by as prepared startingmaterial,V02 powder UsingV205powder vacumu anddeoxidize methodandasol-gel evaporation deposition liquidphase-hydrolysis and asadulterant,the as materialM003 starting powder method,andusingV205powder meth

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