烧结温度对厚膜电阻的影响研究.pdfVIP

第35卷 第4期 电 子 器 件 V01．35 No．4 2012年 8月 ChineseJournalofElectronDevices Aug．2012 StudyonEffectofSinteringTemperatureonThickFilm Resistance ZHANGXian ，ZHUYaohuan，WANGHaifeng (SchoolofTechnicalPhysics，XidianUniversity，Xi’an710071，China) Abstract：UsingR一2200Seriesthickfilm resistorpasteasanobject，westudyhow theresistanceandTCR (TemperatureCoefficientofResistance)arecontrolledbythesinteringtemperature，holdingtimeandheatingrate． Bytheconductivemechanism modelandliquid--phasesinteringmodeltofindouttheaffectofprocessingfactorde-- pendenceoftheRu—basedthickfilm resistors．ThedataandSEM show thatwhensinteringtemperatureat875oc， thestructureisuniformlyanddensely．Thestructureisunstableandtheconductivephasecan’tfomr theconducting networkatlow sinteringtemperature．Ru02particlesgrow，conductingnetwork break andbarrierincreaseathigh sintering temperature． Keywords：thickfilm resistor；sinter；resistance；TCR；liquidphasesintering EEACC：2120；0520 doi：10．3969／j．issn．1005-9490．2012．04．007 烧结温度对厚膜 电阻的影响研究 张 显 ，朱耀寰，王海丰 (西安电子科技大学技术物理学院，西安 710071) 摘 要 ：以钌系R一2200厚膜电阻浆料作为研究对象，探讨了烧结温度、保温时间和升温速率工艺因素对其阻值及电阻温度 系数 (TCR)的影响。利用导电机理模型和液相烧结模型，说明了烧结工艺对钌系厚膜电阻性能的影响。实验数据与 SEM表 明：厚膜浆料烧结温度在875oC时，结构均匀且致密性好；烧结温度过低时，结构不稳定 ，功能相没有形成导电网络；而烧结温 度过高时，RuO，晶粒异常长大，导电链断裂，势垒升高。 关键词 ：厚膜电阻；烧结；阻值；TCR：液相烧结 中图分类号：TN542 文献标识码 ：A 文章编号：1005—9490(2012)04—0394—05 从上世纪六十年代开始，厚膜混合集成电路与 响，并分析了厚膜电阻的微观结构及其性能。 半导体集成电路相互补充、相互渗透成为集成电路 1 实验方法 的一个重要组成部分，广泛应用于电控设备系统中。 厚膜混合集成电路简称厚膜电路或厚膜混合电路， 本次实验采用西安宏星浆料有限公司生产的 即通过丝网印刷和烧结等工艺在基片上制作互连导 R一2200系列 电阻浆料 (功能相 的主要成分 是 线、电阻、电感等满足一定功能要求的电路单元 。由 RuO2、Bi2Ru，O 和Ph2Ru，O6)和AgPt导体浆料，实 于体积小、功率大、性能可靠、设计灵活、成本低和性 验基片采用 96％氧化铝基片。使用丝网印刷机通