砷化镓微波单片集成电路可靠性预计模型研究.pdfVIP

维普资讯 维普资讯 电子产品可靠性与一费试验 2007拉 b)欧姆接触退化 3 加速寿命试验 最常见的欧姆接触系统是AuGeNi，采用此种 随着技术水平的提高 ，电子产品的寿命也越 结构的漏、源欧姆接触在高温时会出现退化。主要 来越长 。若采用常规的可靠性定级试验方法，需 原 因是 ： 要投人大量的器件和很长的试验周期 。例如：某 1)Ga向外扩散到Au层 ，在 电极层 中生成一 研究所曾对 GaAs器件CX562进行过六级失效率定 层非化学计量的高阻抗富缺陷区域，导致电极电阻 级试验 ．投人了458只器件 ，试验 2000h，连续 增加 ： 工作 了3个月，以零失效通过，当时仅样 品费和 2)Au和Ni扩散进人 GaAs中，降低了施主的 浓度 ： 试验费就需要几十万元，费用极其昂贵 [11。 GaAs器件加速寿命试验 中的温度应力 通常 3)形成 各种 金属 间化 合相 ，如 AuGa和 Ni2AsGe等成为非欧姆接触合金，降低了欧姆接触 选择 200300oC范围。在不产生新的失效机理的 区域 ： 前提下， 应尽量选高一些，可以缩短试验周期 。 4)此外 ，金属与GaAs缺乏均匀的浸润、金 本试验选择某型号的放大器进行了3组恒定应力 属一半导体界面处金属的分凝、掺杂不均匀的P层 加速寿命试验 ，试验 中，对样 品进行直流偏置 。 伴有的多种半导体一金属相、表面不平整，均会造 试验条件如表 1所示 ，试验情况如表 2所示 。 成欧姆接触退化。 表 1恒定应力加速寿命试验条件 c)氢效应 在 GaAs器件制作 中，为了实现电隔离，采用 离子汪人拉术，这是优于化学腐蚀的好方法，其中 氢、氧注人 GaAs中形成高阻层，为制作的平面化 打下基础。但氢的注入会带来新的失效隐患。注人 能量一般都远大于阈值能量，由于电子阻止占主要 地位．使得注人带来的损伤主要发生在弹道之末。 由注人带来的损伤在注人层 内产生了晶体缺陷，其 中点缺陷占主要地位，它们形成了缺 表 2 恒定应力加速寿命试验失效情况 陷能级，成为载流子的补偿 中心，俘 获电子和空穴，使注人区变成高阻区。 d)表面态效应 GaAsMMIC的性能与金属一GaAs 或钝化层一GaAs的界面质量密切相关。 表面态 的密度直接影响着 GaAs器件 的性能 ．表面状态密度 的增加会 降低 漏／栅区的有效电场 ，导致耗尽区宽度 的增加和击穿电压的变化。 2．2GaAsMMIC的无源器件失效机理 虽然 MMIC的主要失效是 由于有 源器件的退化引起 的，但无源器件的 失效往往是 MMIC早期失效 的重要原 因。无源元件的失效主要有MIM 电容 形成金属化毛刺穿过介质的失效，以及薄层电阻由 本试验 的子样容量小，数据处理采用计算方 Ga向外扩散引起的阻值下降。因此 ，必须从设计 便、精度相对较高的最好线性无偏估计法 。该方法 和