生长温度对ge2sb2te5薄膜的相变行为以及微观结构的影响.pdfVIP

维普资讯 第 25卷 第4期 电 子 显 微 学 报 Vol一25，No．4 2006年 8月 JournalofChineseElectronMicroscopySociety 2oo6—8 文章编号 ：1000—6281(2006)04—0328．05 生长温度对 Ge2Sb2Te5薄膜的相变行为以及 微观结构的影响 都 健 ，潘 石 ，吴世法 ，张庆瑜 (大连理工大学 1三束材料改性国家重点实验室，2物理 系，辽宁 大连 116024) 摘 要 ：采用射频磁控溅射方法 ，分别在玻璃和具有本征氧化层的Si(100)基片上制备 了Ge，sb2Te相变薄膜。利 用x射线衍射仪、扫描 电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外分光光度计等对薄膜进行 了表征，研究了不 同生长温 度(室温 ～300℃)的Ge2sb2Te薄膜的表面形貌和结晶特性 。分析结果表 明：室温沉积的薄膜为非晶态；沉积温度 为 100℃～250℃时，薄膜转变为晶粒尺度约 14nn2的面心立方结构 ；300℃～350℃沉积 的薄膜有少量 的六方相 出 现。薄膜表面粗糙度随着沉积温度的升高逐渐递增 ，且薄膜的反射率变化与表面粗糙度有直接 的关系。 关键词 ：GeEsb2Te 薄膜；射频磁控溅射 ；表面形貌 ；薄膜反射率 中图分类号 ：0484．4；4084．5；0766 ．1 文献标 识码 ：A 可擦写相变光盘具有存储密度高 、寿命长 、信噪 仪器研制中心生产的JGPG450型射频磁控溅射设备 比高等优 点 ，是光存储最具希望 的技术之一 。 上完成的。溅射靶采用 Ge—sb—rre三元合金靶 ，成分 1968年 ，Ovshinsky 首 次报 道 了硫 系 薄 膜 材 料 为 Ge：sbrre，直 径 60mm，厚 3mm，纯 度 优 于 (Chalcogenide)具 有 可逆 的无 序 一有 序记 忆 现 象。 99．99％。工作气体为高纯氩气 ，纯度为99．999％。 1971年 ，Feinleib 利用聚焦激光束实现了薄膜在微 基 片分别采用普通玻璃和 n型 (100)取 向的单 晶 si 米尺度区域 内的晶态 相与非晶态相之间 的可逆转 片，厚度为420~／m，电阻率 212·cm～412·cm。基 片的 换 ，使得以激光光致相变为基础的可擦写光存储技 处理方法为 ：将基片分别放入 乙醇 、丙酮、去离子水 术逐渐成为人们研究 的热点 。 中超声波清洗 ，用氮气吹干快速 放入真空室。本底 相变光盘存储材料的优劣直接影响相变光盘的 真空为5．0×10 Pa。具体试验参数 ：Ar气流量为 性能 ，因此研究和开发性能优 良的相变材料一直是 30sccm，工作 气 压 为 0．5Pa，基 片 温度 为室 温 、 发展相变光盘 的核心 。Ge—Sb．Te三元合金做为相变 100℃、150oC、200℃、250℃、300 ℃，沉 积 时 问 为 光盘的存储介质 ，具有结晶速度快 、室温稳定性好等 10min。在薄膜制备过程中，尽管采用的溅射靶成分 优点 ，被广泛应用于 CD—RW，DVD—RAM 等系列光 为Ge2SbTe5，但薄膜成分仍然会受到工作条件 的影 盘。尽管相变光盘已经商品化，但还不能满足下一 响 ，如表 1。通过能量色散 x射线谱成分分析 ，我们 代超高密度、超快光存储技术的要求 ，还需要解决结 选择溅射功率为 80W，以保证 薄膜 成分接近 于 晶速率 、室温稳定性 、记录密度 以及光记录可靠性等 Ge，Sb，Te。 诸多问题。本文采用射频磁控溅射技术 ，在室温下