添加banb26对batio3k0.5bi0.5tio3基陶瓷电性能的影响.pdf

EFFECTSoF ADDITIⅦoNTHE BaNb206 PRoPEIHlIESOF CERAMICS AThesisSubmittedto Shaanxi ofScienceand University Technology inPartialFulfillmentofthe forthe of RequirementsDegree Masterof Science Engineering By PanGao Pu Supervisor：Prof．Yongping 2014 May 添加B aNb206对BaTi03／K0．5Bi0．5Ti03基陶瓷 电性能的影响 摘要 随着科学技术的发展以及人们生活水平的提高，各种便携式电子设备越 来越受到人们的欢迎。因此，电子器件的微型化、集成化和智能化将成为未 来电子行业的发展趋势。日常生活中普遍使用的高介高稳电容器陶瓷材料、 高居里点PTC陶瓷以及压电器件大多含有铅，由于铅的挥发性和毒性会对人 体健康和环境和谐造成破坏，因此，急需开发一类具有优异电性能的无铅材 并研究了这类材料的组成、制备与电性能的关系，旨在寻求一种新型无铅功 能陶瓷材料的配方组成及制备工艺。 的影响。实验结果表明：当BaNb，O。添加含量在lm01％附近时，陶瓷的结 构从铁电四方相结构逐渐变为赝立方相结构，然而，当添加含量大于1m01％ 核与壳结构变得不均匀，导致了介温峰发生变化，从而提高了介温稳定性。 当添加剂含量为O．8m01％和1m01％时，陶瓷样品室温下呈现出高的介电常数 和低的介电损耗，并在一55℃～125℃之间具有稳定的容温变化率，这类材料 可用于制备较大电容的X7R陶瓷电容器。 其次，采用传统固相法制备了B批，O。添加的K。。Bi。，TiO，基陶瓷，研 性能的影响。结果表明：当掺杂含量在1％～2m01％的范围内陶瓷体系具有准 同型相界，当掺杂含量高达3％时有少量的第二相的出现，这就意味着 量的增加，矗温度处的介电常数峰变宽，同时ro、Tm以及‰的数值逐渐减 小。所有陶瓷样品都出现很明显的弥散相变特性，掺杂含量为1％时，弥散 因子y逐渐增大至1．938，这表明了样品具有典型的铁电弛豫行为。所有陶 瓷样品具有细瘦的电滞回线，尤其是掺杂含量为3％时的电滞回线，而且所 有的陶瓷样品都具有较小的剩余极化强度；当添加量为lm01％时陶瓷相处 于准同型相界，此时四方相与正交相共存，两种铁电相的共存可以提供更多 的自发极化方向，将导致更高的介电和压电活性，因此使极化后的陶瓷样品 呈现出优异的压电性能：压电系数如3为96pC／N，机电耦合系数‰为17．8％， 机械品质因子Qm为150。 最后，分别通过传统烧结和微波烧结技术制备了半导化的 观结构、半导化行为以及PTC性能的影响；同时也研究了不同含量BaNb，O。 波烧结的烧结周期只有2．5h，并且能在较低的温度下获得更高的致密度，同 时微波烧结陶瓷样品具有较小且均匀的晶粒分布；随着掺杂含量的增大，两 种烧结方式下的陶瓷样品的居里温度瓦都向高温方向移动，室温电阻率呈 现先减小后增大的趋势。当它们有相同的掺杂量时，．微波烧结陶瓷样品的室 温电阻率总是比传