硅基zno纳米阵列的室温电抽运随机激光.pdf

浙江大学颂上论文 摘要 摘 要 缚能，有望成为短波长发光器件的基础材料。ZnO的激光是目前的研究热点之一， 自ZnO纳米棒的光抽运激光报道以来，人们投入了很大的热情研究ZnO纳米棒 的各种激光现象，随机激光便是其中重要的一种。随机激光器由于不需要常规的 谐振腔，因此更有利于缩小器件尺寸，在光电子领域有着诱人的应用前景。要使 随机激光器得到实际应用，电抽运是重要的前提之一。对于ZnO纳米棒的随机 激光而言，国际上还没有实现电抽运的报道。本文在硅衬底上生长了ZnO纳米 棒阵列，在此基础上制备了结构为金属(Au)／绝缘体(SiO。)／半导体(ZnO纳米棒 阵列)的MIS器件，实现了ZnO纳米棒阵列的室温电抽运随机激光。本文取得如 下主要结果： 采用籽晶辅助化学水浴沉积法制备ZnO纳米棒阵列，即：采用直流反应磁 控溅射法制备C轴取向的ZnO薄膜，以此作为籽晶层，利用化学水浴沉积法制 备ZnO纳米棒阵列。研究表明，为了获得垂直取向、高度均匀的ZnO纳米棒阵 列，需要满足以下条件：(1)作为籽晶层的ZnO薄膜需要在较高的温度(如： 300。C)下沉积，以保证薄膜中的晶粒得到良好的晶化，这对ZnO纳米棒阵列沿 垂直于衬底的方向生长非常重要；(2)需要在足够高的水浴温度(如：90℃)生 长，以保证纳米棒良好的结晶性；(3)化学水浴的前躯体溶液中的Zn源浓度需 足够高(如：0．03M)，以保证纳米棒高度的均匀性。此外，后续700(2的热处理 可使ZnO纳米棒阵列的结晶性得到改善，因而它的近带边紫外发光增强而在可 见光区域与缺陷相关的发光减弱。 制备在硅衬底上的基于ZnO纳米棒阵列的MIS器件随着正向偏压的增大， ZnO纳米棒阵列的紫外电致发光由自发辐射转变为随机激射。器件的输出光功率 ——电流特性表明，在阈值电流以上，输出光功率与电流几乎成线性关系，意味 着光增益的饱和，表现出激光的典型特性。随着正向电压／电流的增大，器件的 随机激光的峰位数增加而总体强度增大。此外，在不同方向上测得的随机激光的 峰位和强度各不相同；在一给定正向偏压下多次测量得到的随机激光的峰位和强 浙江大学硕上论文 摘要 度也不相同。上述现象反映出随机激光的特征。从能带图的分析出发，我们认为 器件在正向偏压下注入的电子和空穴主要集中在SiO。／ZnO纳米棒界面附近，因 而它们的浓度相当高。在一阈值电压之上，SiO。／ZnO纳米棒界面附近的区域会 形成粒子数反转，因而产生受激辐射而导致光增益。另外一方面，在SiOx／ZnO 纳米棒界面附近的区域传输的光将受到多次散射。在多次散射的过程中，自发辐 射产生的光在获得光增益的同时也遭到各种原因导致的光损耗。当光增益大于光 损耗时，产生了随机激光。研究还表明，ZnO纳米棒垂直于衬底的生长以及其高 度的均匀性对器件产生随机激光而言是非常重要的。否则，在多次散射的过程中， 由于光损耗太大而不能满足产生激光的条件。 关键词：硅基；氧化锌纳米棒阵列；随机激光 浙江大学硕士论文 Abstract Abstract oneofII—VI tobeafundamental ZnO，as semiconductors，is group promising materialfortheshort devicesduetoitswide of wavelength light-emitting bandgap exciton of ZnOis 3．37eVanda 60 from