硅的化学刻蚀及在光伏中的应用.pdf

中文摘要 硅纳米线因其独特的光学，电学和热力学等性能而在光电器件，传感器等 方面具有广阔的应用前景。本文利用金属辅助催化刻蚀方法制备了大面积的硅纳 米线阵列，并将其应用到有机-无机杂化太阳电池中。 1.金属退火结合湿法化学刻蚀制备硅纳米线和纳米孔。经过热动力学分析， 确定了薄膜沉积厚度和退火温度对形貌的决定性影响。刻蚀后银球在硅基底上可 以得到硅纳米孔，带孔的银薄膜在硅基底上可以得到硅纳米线。 2.使用纳米球模板结合金属催化刻蚀的方法实现对硅线参数的精确控制。通 过聚苯乙烯纳米球作为媒介，得到了带有规则孔径的金薄膜作为刻蚀硅纳米线的 模板，小孔的直径决定了刻蚀得到的硅纳米线的直径，刻蚀的时间则决定了纳米 线的长度，从而实现对制备硅线的精确控制。光学测试发现，直径，长度和周期 共同决定了硅纳米线阵列的减反性能。 3.制备硅-PEDOT:PSS 杂化光伏器件，用四甲基氢氧化铵（TMAH ）和甲基化 处理硅线进行对比，发现甲基化的器件暗电流低于TMAH 处理的器件，效率也提 高了28% 。经过五氯化磷2.0 h 处理的纳米线的器件得到了12.00% 的器件转化效 率。对器件暗电流的拟合分析，光学模拟以及电压和电流分布图谱的绘制对硅纳 米线阵列在杂化太阳能电池中的作用提供了更全面的认识。 关键词：硅纳米线阵列，金属辅助湿法刻蚀，表面处理，杂化太阳能电池 作 者：刘瑞远 指导教师：孙宝全 Metal-assisted Chemical Etching of Silicon and Application in Hybrid Solar Cells Abstract Metal-assisted Chemical Etching of Silicon and Application in Hybrid Solar Cells Abstract Due to their unique optical, electrical and thermoelectric properties, silicon nanowires(SiNW) have promissing application potentials in fields such as photoelectric devices and sensors. Here we fabricated large area SiNW array and applied them into organic-inorganic hyrid solar cells. 1. We fabricated SiNW and Si nanohole by the combination of metal annealing process and chemical wet etching of Si. Depending on thermodynamics analysis, there were two main factors playing vital roles in the morphology of the metal: thickness of metal film and annealing temperature. Nanowires/nanoholes could be achieved via etching from metal films with regular holes/hemispherial metal particles. 2. Precise control over parameters of SiNW was achieved by nanosphere lithography method.