稀土氧化物掺杂性氧化锌压敏电阻的研究.pdfVIP

摘 要 Pr60lI)以及其他多种金属氧化物，经高温烧结而成的半导体陶瓷，在高压输变 电线路、城市地铁和电气化铁路接触网系统中应用广泛。 高性能ZnO压敏电阻片作为ZnO避雷器的核心部件，其性能及制造技术直 接制约着ZnO避雷器的发展。因此，提高ZnO压敏电阻片的性能是高压电网系 统中加强对雷电浪涌防护的重要研究课题。本文通过稀土氧化物掺杂进行成分优 化，制备高压输变电用Bi203系ZnO压敏电阻片，探讨了不同烧结工艺下的晶粒 片添加物多、Bi203易挥发及高电阻抗性等缺点。 及掺杂量对Bi203系ZnO压敏电阻片微观结构和电性能的影响，得出最佳的稀土氧 化物及其掺杂区间。实验结果表明：掺杂0．6m01％Y203时，试样的综合性能最佳， 其性能指标分别为：电位梯度：505V／mm；非线性系数：29．6；漏电流：345 J_tA。 样的平均晶粒尺寸，随着烧结温度的提高和烧结时间的延长而长大。当掺杂 最小，约为1．59m；1070℃下烧结保温8h的试样平均晶粒尺寸最大，约为4．29m。 182kJ／mol。 晶粒生长动力学指数n=4，晶粒生长活化胄～1 影响，以期能满足特高压输变电用高电位梯度的应用需求。结果表明：随着Ce02 掺杂量的增加，ZnO．Pr60ll系压敏电阻片电位梯度和非线性系数有明显的提高， 表明：Ce02并不与ZnO及其他氧化物生成新相，而是以Ce02的形式独立存在， 抑制了Zni‘的生成，致使填隙锌离子的传质能力下降，从而减小ZnO晶粒尺寸， 并改善了压敏电阻片的晶界结构和成分。 讨论了Pr60il系ZnO压敏电阻片的球磨、模压成型、烧结过程的影响因素。 研究发现：本体系ZnO压敏电阻材料的球磨工艺应采用无水乙醇作球磨液体 介质，不宜采用蒸馏水。采用两次先后加压、适当减小成型压力以及增加保 温时间可以减少压制过程中出现的层裂现象。50℃／h的烧结速度比较理想，烧 结后的试样气孔较少。 关键词：氧化锌压敏电阻片；稀土氧化物；掺杂；电性能；晶粒生长 ABSTRACT device asinteredceramicsemiconductor ZnOvaristor(variable resistors)iS as and a combinedwith Bi203Pr60l 1，and basedonZnO varistor．formingoxides，such varistorsare usedin numberofothermetaloxides．ZnO widely high—voltage network transmission metrolinesandrail systems． lines，urban ZnOvaristorasacore ofZnO surgearresters，its High．performance component the ofZnO and restri