InAs%2f(In)GaSb超晶格的能带结构和器件设计及研究.pdf

Classified Index: TN304.057 U.D.C.: 621.315.592 Dissertation for the Doctoral Degree in Engineering BAND STRUCTURE AND DEVICE DESIGN STUDY OF InAs/(In)GaSb SUPERLATTICE Candidate： Wei-Feng Sun Supervisor： Prof. Lian-Cheng Zhao Academic Degree Applied for ： Doctor of Engineering Information Functional Materials Speciality： and Devices School of Material Science and Affiliation ： Engineering Date of Defence ： March, 2011 Degree-Conferring-Institution ： Harbin Institute of Technology 摘 要 摘 要 本文按照第一性原理方法并利用 k·p 理论对 InAs/(In)GaSb 超晶格的电子能带 结构、力学和光学特性进行了系统的计算和分析，着重探讨了 InAs/(In)GaSb 超 晶格在光电子应用中的一些重要问题：结构优化、俄歇寿命、界面结构与弛豫、 低维系统（原子链、纳米线和纳米管超晶格）等。在此基础之上，设计了一种在 同一材料（工作区）上实现两个波段同时探测的双色红外光电探测器，简单模拟 了光电流响应谱。最后，对在 InAs/(In)GaSb 超晶格等低维结构半导体中可能存 在的非粒子反转量子相干红外激光发射机制进行了理论分析和讨论。 文中首先介绍了InAs/(In)GaSb超晶格的研究背景、相关的材料特性和几种基 本的光电子探测元件以及能带结构的一般计算方法。阐述了密度泛函理论 （DFT ）体系及其数值计算方法在近几十年来取得了巨大发展，被广泛应用于物 理、化学、材料和生物等学科的理论研究中。对第一性原理计算的基本理论（密 度泛函理论）及其扩展形式进行综述，并简要介绍了一些第一性原理计算软件 包。 利用包络函数近似的8带k·p理论对长波红外探测的自立[001]InAs/In Ga Sb x 1-x 超晶格的能带结构和光学性质进行了系统的计算，其中包括各个主要子能带的能 级与色散、截止波长、C1和HH1子带宽度、动量矩阵元、C1子带在布里渊区中心 的有效质量。根据计算结果针对结构优化的问题进行讨论和分析，对于所计算的 各种物理量指出了InAs/InxGa1-xSb超晶格优化结构的参数区域。从理论上证明了 通过结构优化可使多参变量的InAs/In Ga Sb超晶格应用于高探测率的长波红外 x 1-x （LWIR ，8−14µm）光电探测器。 根据 8 带 k·p 理论计算的能带结构，用三种俄歇复合过程同时受抑制的机制 对 InAs/In Ga Sb 超晶格的结构进行优化，使其能够应用于高探测率 LWIR 探测 x 1-x 器。通过第一性原理的完整形式，基于全势能线性化增广平面波