al、co掺杂no纳米材料的可控合成及性质研究.pdfVIP

摘要 具有3．37eV能带宽度和60meV室温激子束缚能的Zn0，凭借其优良的光 电性能和丰富的纳米形貌结构，一直吸引着科研工作者的研究兴趣。相关研究 表明纳米结构的ZnO半导体材料有望在光电子、太阳能、传感器以及生物器件 方面有着广泛的应用静景。一直以来，掺杂和微观形貌调控是改善材料性能的 两个主要手段。对于ZnO纳米材料，关于这两方面的研究目前已取得了很大的 进展，但在一些方面(比如P型掺杂以及根据器件应用合理裁剪材料的微观形 貌)仍然存在着很大的挑战。 Al掺杂Zno薄膜被认为是替代铟锡氧化物(1To)薄膜的最佳候选透明电 极材料。Co掺杂ZnO是目前备受关注的稀磁氧化物半导体候选材料。合成具 有特定形貌的～、Co掺杂znO纳米材料及其性能研究对于促进znO基纳米结 构的器件应用、指导其他功能氧化物的设计合成具有重要的意义。 本文主要以砧或Co掺杂的ZnO纳米材料为研究对象，通过微观形貌设 计，采用溶胶凝胶和溶剂热相结合的方法，在低温条件下制备出了高透明砧 掺杂znO多孔网状薄膜，并在此基础上拓展，进一步合成了Co掺杂ZnO多孔 薄膜。之后利用溶剂热方法，还合成了重掺杂的Znl．xC0xO纳米棒。研究了znO 基纳米材料的微观形貌、结构、光学和磁学性能。此外，探讨了生长温度、时 间、NaoH含量以及掺杂源对这些性能的影响。在此过程中，我们利用扫描电 纳米材料进行了表征，并探讨了生长温度、时间、NaOH含量以及掺杂源对ZnO 的形貌、结构和性能的影响及多孔薄膜的生长机制。本论文的主要研究内容归 纳如下： l、首次通过溶剂热结合溶胶凝胶方法合成了高透明的Al掺杂ZnO多孔网 状薄膜。通过调节生长温度，时间以及填充液中NaOH含量，薄膜表面形貌由 纳米片状结构演化为多孔网状结构。填充液中的Al以及NaOH含量对薄膜的表 面形貌产生了显著的影响。针对生长现象，提出了一种可行的生长机理。通过 X射线衍射仪(Ⅺm)和能量色散X射线谱(EDS)的表征说明了砧成功掺 入了Zno的晶体结构中。这种多孔网状薄膜展现了典型的纤锌矿ZnO晶体结 构并且具有较强的紫光发射。Uv．vis分析表明这种薄膜具有良好的可见光透过 性。并且随着温度的增加样品的吸收边发生蓝移现象。 2、依赖于ZnO种子层，在溶剂热环境下一种形貌可控的Co掺杂ZnO (ZnhCoxO)薄膜制备成功。研究了不同掺杂百分比对样品的微观形貌和结构、 光学、磁学性能的影响。实验表明，Co掺杂量对于合成薄膜的表面形貌变化有 着重要影响。SEM的表征结果显示Znl-xC0xO薄膜的形貌是一致的并且呈多孔 状。Ⅺm和EDS表明Co成功掺入了ZnO晶体结构中。TEM和高分辨电子显 微镜(HRTEM)表征结果显示薄膜具有良好的结晶质量。所有样品都具有较强 的紫光发射和紫外吸收。此外，Zn卜xCoxo薄膜通过VSM表征还显示出室温铁 磁性能。 3、通过一种新型的溶剂热思想，成功制备了一维重掺杂的ZIll．xCoxO (x=0．05，0．1，O．15，0．2)纳米棒。这种纳米棒呈现六棱柱状，并且一端为尖 锥型。通过对样品的TEM和HRTEM的分析表明，样品具有良好的单一纤锌矿 支持这一观点。这种特定形貌的纳米棒除具有较弱的紫外发射外，还呈现出明 显的蓝绿光发射。讨论了相应的荧光发光机理。通过Uv．vis吸收光谱我们识别 种znl．xCoxO纳米棒具有良好的室温铁磁性能。 关键词：ZnO：掺杂；溶胶凝胶：溶剂热；形貌；性能 Abstract Zinc toitSdirect州deelcctron of3．37eV oxide(ZnO)，due eneFg)，b锄dgap exciton 60 at 锄dla唱e binding of meVroom eIlergy inmaterial Concem fieldforitSexCellent 伊eat photoelectricitypeffo珊锄ce锄d nano-∞miconductormater