cusicp(io2)复合材料的制备与性能研究.pdfVIP

摘要 摘要 Cu／SiCv金属陶瓷复合材料兼具有铜的高电导率和碳化硅的高模量等特点， 在汽车、电子、先进武器系统中均具有广泛的应用前景。碳化硅增强体含量、 碳化硅与铜两相界面对复合材料的性能具有重要的影响，添加适量的增强体碳 化硅颗粒并对两相界面合理调控，能够得到结构均匀、性能优良的复合材料。 本文采用溶胶凝胶法在微米碳化硅颗粒表面均匀地包裹上无定形态Si02， 复合粉体；通过差热分析仪、X射线衍射仪、Zeta电位仪、扫描电子显微镜等 检测方法对复合粉体的形貌结构与成分进行表征；采用真空热压烧结制备碳化 硅增强铜基复合材料，通过对复合材料的显微结构、成分和密度的表征，分析 制备过程工艺参数对材料的结构和性能的影响；对获得的Cu／SiC(SiO)金属陶瓷 复合材料进行电学性能测试，研究 率的影响， 根据空间电荷效应理论对材料界面性能进行分析。 实验结果表明：利用溶胶凝胶法，可以在SiC颗粒表面均匀的包裹上一层 无定形Si02，包裹效果受反应体系酯醇水配比、温度和pH值的影响；利用化学 置换反应法制备Cu包裹含Si02的SiC复合粉体，si02的存在能够促进两相界 面润湿性结合。复合粉体热分析表明：复合粉体在1058℃左右出现Cu20．Si02 低共熔混合物，从1148℃开始Si02由非晶向晶体转变，温度高于1170℃时，Cu 与SiC发生严重界面反应，生成多种Cu。Si化合物。利用真空热压烧结法能够制 添加量占总体积的20v01．％、合成温度为50℃、真空热压烧结温度为800℃条件 下，制备出的复合材料综合性能最佳；热压烧结过程，复合材料致密化过程是 由流动传质、扩散传质、溶解沉淀三种传质机理共同作用完成。对Cu／SiC(Si02) 进行电学性能分析，发现Si02的存在改变了Cu／SiC复合材料界面结构与界面组 分，并显著改变复合材料的空间电荷界面极化行为。 关键词：Cu／SiC(Si02)复合材料；溶胶凝胶法；置换反应；热压烧结；界面 Abstract Abstract the of and combineboth highelectric—conductivitycopper composites Cu／SiCp modulusof broad inthe applicationprospects superiorspecific SiC，having of andadvanced content automotive systems．The industry,electronicsweapons carbideand the interfaceofsilicon reinforcementand siliconcarbide two．phase onthe of materials．Adding havean composite impact property copper important