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Co、Ni掺杂ZnO纳米结构的制备、表征及性能研究 摘要 ZnO纳米材料由于其在自旋功能器件、紫外发射器、气体传感器、压电传感器等 方面有着潜在的运用，近十年来受到研究者们的广泛关注。通过掺杂对ZnO纳米材料 进行改性，已经成为研究的热点。本文用电化学沉积法制备出了Co、Ni掺杂ZnO薄 膜，用溶胶．凝胶法制备出了Co掺杂ZnO纳米结构，通过对他们的形貌结构、光学和 磁学性质的表征，研究他们的性质、结构与制备条件之间的关系，探讨光致发光以及 室温铁磁性的起源。本文主要研究内容概况如下： M硫酸电解液中制各不同孔 1．利用二次阳极氧化法在0．3M草酸电解液和l 径、高度有序的多孔氧化铝模板，用SEM对模板的形貌进行表征，详细地介绍 了二次阳极氧化法制备有序氧化铝模板的工艺、有序孔阵列形成的机理以及影 响模板有序性及孔径大小的因素。介绍了本实验组的一个专利，一种去除纳米 氧化铝模板背面金属镀层的方法及装置。利用电化学沉积方法在氧化铝模板中 量色散谱(EDS)对样品的形貌结构及元素组成进行了测试分析，通过紫外一可 见吸收光谱分析，Co的掺杂使ZnO的带隙变宽。 2． 利用电化学沉积法和溶胶．凝胶法分别在纯zn片上制备出了Co掺杂ZnO薄膜样 品。在不同温度、不同PH值、不同电流下制备出了不同的样品，并对其形貌和元素 进行了对比，最终寻找到最佳的溶液配方。XRD结果显示样品A为六方纤锌矿结构， 而没有其它相关杂质相。通过SEM、PL、XPS及VSM对样品A进行了表征发现， C02+离子和缺陷引起的载流子之间的耦合。 3．在70。C水浴槽中，采用一步法电化学沉积法在多晶Zn片基底上沉积了Ni掺杂 ZnO薄膜。我们对Ni．ZnO薄膜的形成机制进行了分析。样品室温光致发光的结果证 明，带变的红移和几个弱光峰来源于ZnO的缺陷和因Ni掺杂所引起的氧空位。 关键词：掺杂Zn0；氧化铝模板；电化学沉积；稀磁半导体；室温铁磁性 “’ ‘ ·‘ 1 onThe Uilaracterizationand Study Preparation， ofCoandNi ZnO Properties Doped Abstract is invarious as Zincoxidenanostructuresof greatpotential practicalapplications，such functional transducersetc．Inlast spin devices，UV-lightemitters，sensors，andpiezoelectric ZnOnanostructuresare muchattentionfortheir decade，metal attracting ions—doped ectiveofthisthesisisto CoandNi ZnO improvedproperties．Theobj prepare doped nanostructures and methods．The oftheir byelectrodepositionsol-gel dependence andthemicrostructureon conditionis studiedviathe properties