balt;,-xgt;srlt;,xgt;tiolt;,3gt;系统无铅介质瓷的制备与性能研究.pdfVIP

摘要 采用传统固相反应法以碳酸钡、碳酸锶和二氧化钛为原料，在1080℃首先 合成了(Bao 时。本文主要研究了SrC03的加入量、氧化锑的掺杂量、碳酸钡和二氧化钛原料 纯度以及工艺条件对Bal．。SqTi03基陶瓷性能的影响。 LCRMeter4225测 采用XRD测试了原料组成，在室温下，利用Automatic 试了lkHz条件下试样的电容量C、介质损耗因数D和电阻率P，并测试了 ．20C--+85C范围内试样的C，得到了试样介电常数随温度的变化曲线。 实验结果表明， (一)Sb203掺杂，Sb3+首先进入A位，引起晶格畸变，可 以有效的增加体系室温时的相对介电系数，并降低介质损耗，从而改善了材料的 介电性能。随Sb203掺杂量增加，Sb3+开始进入B位，这时虽然材料的介电性能 有所下降，但其介电．温度曲线自1．6wt％组成点开始渐渐地趋于平缓。(二)随 SrC03加入量的增加，试样的介电常数、损耗均减小，电阻率会增大；介电温度 高温变化率会略微减小，低温变化率则显著增大。(三)工业纯原料Ti02．B因其 中的杂质影响，对Bal．xSrxTi03基陶瓷有显著的压峰和展峰作