《006第六章半导体存储器.》.pptVIP

6.1 内存和外存 6.2 半导体存储器 6.2.1 半导体存储器的分类 6.2.1 半导体存储器的分类 6.2.2 半导体存储器的主要技术指标 存储容量 通常用存储器单元数与每个存储单元的位数表示 存取速度 存取时间：从读/写命令发出到操作完成所需时间。 存取周期：两次存储器访问所允许的最小时间间隔。 功耗 存储器被加上的电压与流入电流之积。 分为操作功耗和维持（备用）功耗 可靠性 指存储器对温度、电磁场等环境变化的抵抗能力和工作寿命。 6.3 随机存储器RAM ①存储体 每个存储单元具有一个唯一的地址，可存储1位（位片结构）或多位（字片结构）二进制数据 存储容量与地址、数据线个数有关： 芯片的存储容量 ＝存储单元数×存储单元的位数＝2M×N M：芯片的地址线根数 N：芯片的数据线根数 ②地址译码电路 ③片选和读写控制逻辑 片选端CS*或CE* 有效时，可以对该芯片进行读写操作 输出OE* 控制读操作。有效时，芯片内数据输出 该控制端对应系统的读控制线 写WE* 控制写操作。有效时，数据进入芯片中 该控制端对应系统的写控制线 6.3.2 SRAM基本存储电路 优点：结构简单，单片集成度高，功耗低，速度快，价格 便宜 缺点：需要刷新和再生操作，电容中信号弱，读出时需经 放大器处理。 6.3.4 SRAM芯片2114 6.3.5