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氧化锌的掺杂效应以及石墨烯结构缺陷的第一性原理研究 中文摘要 中文摘要 氧化锌（ZnO ）是一种理想的半导体材料，在固体器件领域有着广泛的应用前 景。对氧化锌增加压力，它能从四配位的纤锌矿结构（B4 ）转变成六配位的岩盐 结构（B1 ）。掺杂是改善材料性质的一种有效的方法，尤其是在半导体材料领域。 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法来研究过渡金属元素（V、Cr、Mn、 Fe 、Co 和Ni）掺杂氧化锌的一些性质。我们发现过渡金属元素的掺杂降低了 B4 →B1 相转变压力，但是没有改变其相转变的路径。这一发现与先前的实验结果一 致。过渡金属元素的掺入引起了晶格畸变，这导致了体积弹性模量的降低并且促 进了相转变的发生。对于态密度的研究发现，掺杂后的ZnO 是具有磁性的，并且 这一磁性来源于过渡金属元素的d 轨道。由于Mn 原子的d 轨道电子是半充满的， 所以其掺杂后的ZnO 显示了最强的磁性。对于V- 以及Cr-掺杂的ZnO 来说，B4→ B1 的相转变使得体系的磁性增强了；而对于Mn- 、Fe- 、Co- 、Ni-掺杂的ZnO 来说， B1 结构的磁性小于B4 结构的磁性。这一结果能够用过渡金属原子与其相邻的O 原子间的电荷转移来解释。我们的研究结果为改变ZnO 的结构和性质提供了理论 基础。 石墨烯（graphene ）有着非常优异的性能，将来有望在半导体领域代替传统硅 材料。石墨烯材料中的点缺陷能够对其性质有着很大的影响，所以我们可以人为 地引入缺陷结构来改善或者提升石墨烯材料的应用价值。在辐照或者热处理的条 件下，这些缺陷结构会在石墨烯上发生迁移、合并。要想得到理想的缺陷石墨烯 材料，我们就需要具体研究这些缺陷结构的动力学行为。本文中我们利用了基于 密度泛函理论的第一性原理方法，通过过渡态搜索的计算研究了常见点缺陷的迁 移、合并的能垒。我们发现，单空位缺陷以及吸附原子缺陷在完美石墨烯中的迁 移能垒不高，在辐照或者热处理条件下，点缺陷会在石墨烯上发生迁移并发生合 并。两个相近的单空位缺陷能够通过迁移先形成相邻单空位（Di-SV），然后合并 成为双空位V2 (5-8-5)缺陷，其合并能垒为1.17eV。此外，双空位缺陷V2 (5-8-5) 通过C-C 键的旋转能发生结构重构，形成V2 (555-777)缺陷和V2 (5555-6-7777)缺 陷，但是，双空位缺陷的结构重构能垒很高，远远高于单空位的迁移与合并能垒。 I 中文摘要 氧化锌的掺杂效应以及石墨烯结构缺陷的第一性原理研究 双空位缺陷中的V2 (5-8-5)缺陷会与附近的吸附原子缺陷Cad 发生合并，并被修复 成单空位缺陷，其合并能垒为1.36eV。而V2 (555-777)缺陷并不会被吸附原子缺陷 Cad 修复。 关键词：氧化锌，掺杂，石墨烯，缺陷，第一性原理 作 者：吴 亮 指导教师：李有勇 II First -Principles Studies of Doping Effect on Zinc Oxide and Structural Defects in Graphene Abstract First-Principles Studies of Doping Effect on Zinc Oxide and Structural Defects in Graphene Abstract Zinc oxide (ZnO) is a promising material for its wide ap