硅衬底gan基光led可靠性研究.pdfVIP

摘要 摘要 GaN基LED在信息显示和固态照明等领域具有广阔的应用前景，近年来， si衬底GaN基LED取得了很大的进展，已有产品推出市场，然而其可靠性有待 于进一步研究。 本文用加速老化的方法研究了LED的可靠性。把si衬底GaN基蓝光LED 芯片在大电流下老化，研究发现尽管该芯片尺寸4,N(300№nX3000．m)，在高 达600mA电流下老化30分钟，发光强度和正向电压随老化时间变化不大，这 器件分别在20mA、30mA和50mA下老化，测试各项参数随老化时间的变化， 结果LED法向光强衰减明显，但是整个光功率输出衰减较小，这一现象表明芯 片本身性能稳定，但芯片发出的短波蓝光(光子能量较大)是封装环氧树脂变 黄使法向光强衰减较大的原因。 为了提高si衬底GaN基LED的性能，我们研究了转移基板材质、电极形 状和芯片尺寸对LED性能的影响。在切割成单个芯片之前，对大量尺寸小到 试台上加速老化。结果显示：铜基板Si衬底GaN基LED芯片有更大的饱和电 流，光输出效率更高，工作电压随驱动电流的变化不大，光输出在老化过程中 衰减很小。这些结果表明：铜基板LED芯片比硅基板LED芯片可靠性更高，在 大功率半导体照明器件中前景诱人。对比电极形状和芯片面积对LED性能的影 响，实验结果显示：相同芯片面积的圆环带角电极LED芯片的光电性能比圆环 电极LED芯片好，经分析，以上结果皆与电流拥挤效应有关，电流扩展好电极 性能优于尺寸为(2009m×2001-qn)的LED芯片。 本论文为进一步提高si衬底GaN基LED的性能具有参考价值。 本论文得到了国家863计划和信息产业电子发展基金资助。 关键词：GaN；Si衬底；LED芯片；加速老化；可靠性 Abstract Abstract based hasbeen for in GaN LED demonstratedalargepotentialapplications devices．Inrecent basedLEDSisubstratehasmade Opto—electronic years，GaN great GaN are theindustrialization．Wmlethe of advancing reliability progress．which basedLEDSisubstrateneedstobefurtherstudied， Currentaccelerated underdifferentstressesonLED agingexperiments chips have carriedout．The and been forward don’t lightintensity voltagechangeobviously the of underthestressof600mAwithin30 the duringprocessaging minutes，though X of sizeofLED is 300Pro3001am．111atindicates LEDsmade only