第六章半导体电子论.ppt

p-n结电压-电流特性 某一反向电压下反向电流的突然增加是由于高电场使势垒区击穿。 6.6 金属-氧化物-半导体(MOS)结构 V 金属 氧化物 半导体 P型半导体硅，半导体接地，金属端（常称栅极）接正电位，在半导体中产生由上向下的电场。在电场作用下，硅和氧化物的交界处，空穴被赶走，留下带负电荷的电离受主杂质，形成空间电荷区，厚度为d。 如果栅极电压为负，情况如何？ E 理想的MOS表面势 带负电荷的电离受主杂质形成空间电荷区，其内存在电场，其电势是逐渐变化的，因此该区域内的半导体能带发生弯曲。 在空间电荷区内，价带边离费米能级EF比较远，表明在表面附近空穴被赶走，空穴浓度极低，因此该区是缺乏载流子的高阻区，类似与p-n结的势垒区，也是载流子耗尽区。 当金属上施加的正电压增大，表面势相应增大，能带更为弯曲。当费米能级高于表面处的本征能级EiB (禁带正中央) ，表面附近电子浓度将高于空穴浓度，由p型转换成n型，表面半导体导电类型与体内相反，所以称该区域为反型层。 因此，形成反型层的条件为： N沟道MOS晶体管 MOS结构常被用来制作能放大电信号或作信息存储单元的MOS晶体管。 源极（S）、漏极（D）、栅极（G）。 工作原理 相当于两个背靠背的p-n结，施加电压时，其中一个p-n结处于正向则另一个必处于反向，因此流过的电流很小。 施加栅极电压，形成反型层，大量电流通过。因此可以用