多层结构gaa光电发射材料的表面光电压谱特性分析.pdf

硕士论文 ㈣㈣ 摘 要 Y磐76ZI哆 ●一坐 Ga触光电探测材料和器件广泛应用在各行业上，对国家经济、安全、科学技术发 展具有重要的战略意义。由于光电探测器材料都是多层的，采用无损光电压法检测多层 结构Ga舡光电发射材料特性，将为进一步研究Ga心光电发射材料提供关键测试理论 和分析方法。本文采用表面光电压谱技术对多层结构Ga越光电发射材料的特性参数进 行了计算和分析。 本文首先阐述了表面光电压的概念和产生原因，着重分析对比了开尔文探针法和 ⅦS(金属．绝缘体．半导体)法测量表面光电压信号的优劣。选用空气作为绝缘层的ⅦS 结构来探测表面光电压信号。介绍了基于MS结构的多层结构GaAs表面光电压谱测试 系统。然后，通过研究mGaAs／GaAs接触表面的晶格匹配、能带结构、少子迁移率及 表面复合速率等，结合结构中各层的光学性质(光谱吸收系数、表面反射率)和在不同 的一维载流子扩散方程建立了双层、三层结构G粕材料的表面光电压谱模型。得到了 双层、三层结构的光电压理论计算公式，及其特性参数计算方法。最后，实验验证多层 结构G凼光电发射材料特性的计算模型。采用在固定入射波长时测量随光强变化的的 光电压的方法，计算得到不同样品在MIS结构中的理想因子。逐层腐蚀双层 从单层到多层逐层计算它们的扩散长度、复合速率、结构组份等参数。测量激活后的双 光电压谱曲线进行对比，验证多层结构光电压理论模型，证明表面光电压谱法的实用性。 关键词：表面光电压，多层结构，GaAs，MIs结构 Abst嬲 硕士论文 Abstract materialsaIlddeVlces usedlnthe Photoelectricdetection wldely omerindustries．Thef瓠t noiseGaAs observation，securi够and response，highgain，low material usediIl photoemissionphOtOdetectorswidely photoelec仃ic andomersemiconductordeviceshave semiconductorstmcture．This complex multilayer usedthe surface to p印er nondestmctive，convenient detemlinemecharacter讫ationof stnJcturesemiconductor． multilayer ofsu墒ce was SPV dctection First，tlle explained．Di虢rentsigIlal concept photov01tage methodswere KelVin and compared． probe aⅥIS) forsurf．ace meaSurementwaS indetail．TheMIS configuration photoVoltage compared air waS for