多晶硅太阳能电预处理及退火工艺研究.pdfVIP

中文摘要 中文摘要 摘要： 目前太阳能电池行业多用管式PECVD法沉积氮化硅减反射钝化膜，然而管 式设备对于实现薄膜沉积的均匀性有一定的局限，其原因在于反应腔室内部反应 气体分布不均匀。这会对薄膜的表观质量造成很大的影响，形成色差片。不断出 现返工片，将会阻碍产品生产效率的提高。 本论文通过大量的产线实验发现，通过总的气体流量、反应时腔室压强以及 射频功率的调节，会对成膜的均匀性有很大帮助。研究表明，对于管径380mm， 220pa，射频功率4500w左右时，仅就成膜的均匀性来讲是最佳的，几乎没有返 工片，而且也不会对薄膜的其它参量造成很大的影响。‘研究还发现，除了以上三 个工艺参量能较大的影响薄膜的表观质量外，石墨舟的间距大小，也会对薄膜均 匀性造成影响，对比发现13mm间距石墨舟的成膜质量要明显优于llmm间距石 墨舟。 另外，钝化工艺在晶体硅太阳电池上的应用己经十分广泛。我们在沉积氮化 硅薄膜之前采用氨气电离出氢等离子体，先对硅片进行氢等离子体预处理，通过 数值分析和实验的方法分别研究了预处理时间，功率，温度，压力各参数对钝化 用等离子体增强型的化学气象沉积(PECVD)法，在电池表面镀上一层氮化硅膜， 实验证实氢等离子体会透过氮化硅膜进入到硅基体内，具体表现为少子寿命提高 7Its左右。之后的低温退火实验表明，430-440*C左右为最优温度，随着时间的增 加，短路电流会有明显提升，光电转换效率也有提高。 关键词：PECVD；氮化硅薄膜；晶体硅太阳能电池；氢钝化；少数载流子寿命； 退火 分类号：TM914．4 ABSTRACT ABSTRACT ABST量己ACT： At uSe to siliconnitride deposit present,manycompaniestubular-pecvdequipment cell therea inthefilmthickness． filmsinthesolar is uniformityproblem industry．But In isnot itwillcausethe thereaction distributed,SO chamber,thegas evenly response film andthiskindofsituationwill affectthe differencesin thickness seriously products efficiency． thatthe lotof inthe found line，we flow,air nrou班aexperimentsproduction gas andradio for have effect．380mm uniformity pressure frequencypower verybig ofreactioncha