ni-nb为导阻挡层的硅基铁电电容器集成研究.pdfVIP

C la s si fi ed I nde x: Code: 10 075 U.D.C NO: A Dissertation for the Degree of M. Engineering Investigation of Ni-Nb Layer as Conductive Barrier for Integrating Ferroelectric Capacitors on Si Candidate: Qi Chen-guang Supervisor: Prof. Zhao Qing-xun Supervisor: Prof. Liu Bao-ting Academic Degree Applied for: Master of Engineering Specialty: Optics Engineering University: Hebei University Date of Oral Examination: May, 2013 摘 要 摘 要 采用磁控溅射法（magnetron sputtering ），使用Si(001)基片在室温下制备了可用于铁 电存储器集成的导电阻挡层Ni-Nb 薄膜及电极La Sr CoO (LSCO ）薄膜，采用溶胶－ 0.5 0.5 3 凝胶法(Sol-Gel)制备了Pb(Zr ,Ti )O 铁电薄膜，构建了La Sr CoO /Pb(Zr , Ti )O / 0.4 0.6 3 0.5 0.5 3 0.4 0.6 3 La Sr CoO /Ni-Nb/Si （LSCO/PZT/LSCO/Ni-Nb/Si ）硅基铁电电容器异质结。利用 X 0.5 0.5 3 射线衍射仪(XRD) 、铁电测试仪(Precision LC unit)研究了薄膜样品的结构及电容器的铁 电性能。 研究发现，50 nm 的非晶Ni-Nb 薄膜可以用作导电阻挡层应用在硅基铁电电容器的 集成中。研究发现Pt/ La Sr CoO /Pb(Zr ,Ti )O / La Sr CoO /Ni-Nb/Si 铁电电容器 0.5 0.5 3 0.4 0.6 3 0.5 0.5 3 具有良好的铁电性能。这说明异质结界面之间没有反应或互扩散现象，Ni-Nb 薄膜在经 历退火后仍然是金属态，XRD 测试表明PZT 具有良好的结晶情况。测量电压为5 V 时， 2 铁电电容器具有较大的剩余极化强度P ~35.5 μC/cm ，较小的矫顽电压V ~1.42 V ，较大 r c 的介电常数，其抗疲劳特性及保持特性均良好，说明非晶Ni-Nb 薄膜是一种优良的阻挡 层材料。 研究了Ni-Nb 薄膜厚度对PZT 电容器的影响，探讨了Ni-Nb 薄膜用作阻挡层的最 薄厚度。研究发现Ni-Nb 薄膜厚度3.5 nm 时，PZT 电容器仍然具有铁电性，电容器具 2 有较饱和的电