低频电子线路 作者 刘树林 程红丽 1-2 PN结与二极管.pptVIP

* 第1章半导体二极管及其应用 1.2PN结与 二极管 * 1. PN结的形成 漂移运动：载流子在电场作用下的定向运动。 扩散运动：浓度差引起的非平衡载流子的运动。 1)载流子的两种运动 将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN结 1.2.1 PN结及其单向导电特性 多子扩散 形成空间电荷区 建立内电场 少子漂移 方向相反 动态平衡 I j = 0 2）PN结内电场的形成 在线教务辅导网： 教材其余课件及动画素材请查阅在线教务辅导网 QQ:349134187 或者直接输入下面地址： 2. PN结的单向导电性 1) PN结外加正向电压时处于导通状态 外电场与内电场的方向相反，空间电荷区变窄，内电场被削弱，多子扩散得到加强，少子漂移将被削弱，扩散电流大大超过漂移电流，最后形成较大的正向电流。? 2) PN结外加反向电压时处于截止状态 外电场与内电场方向一致，空间电荷区变宽内电场增强，不利于多子的扩散，有利于少子的漂移。在电路中形成了基于少子漂移的反向电流。由于少子数量很少，因此反向电流很小。 结论：PN结具有单向导电性， 即正偏导通，反偏截止。 1) PN结的电流方程 令: uT=kT/q 称温度电压当量 T=300K时， uT=26mV 3. PN结（二极管）的伏安特性 2) PN结的正向伏安特性 u0，正向特性: uUT,指数特性 u0，反向特性: u-UT，i≈-IS u UBR ，击穿特性: 齐纳击穿、雪崩击穿 3) PN结的反向击穿特性 4) PN结的电容效应 1）势垒电容: Cb 2) 扩散电容: Cd Cj=Cb+Cd 1.二极管的结构及类型 1）二极管的外形 PN结+管壳+引线 1.2.2 二极管及其伏安特性 阴极引线 阳极引线 二氧化硅保护层 P 型硅 N 型硅 (c) 平面型 铝合金小球 N 型硅 阳极引线 PN 结 金锑合金 底座 阴极引线 (b) 面接触型 阴极 阳极 (d) 符号 D (a) 点接触型 2）二极管的内部结构与符号 　　按 PN 结结构分：有点接触型和面接触型二极管。 　　点接触型管子中不允许通过较大的电流，因结电容小，可在高频下工作。 　　面接触型二极管 PN 结的面积大，允许流过的电流大，但只能在较低频率下工作。 　　按用途划分：有整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、变容二极管等。 按半导体材料分：有硅二极管、锗二极管等。 3）二极管的类型 正向特性 硅管的伏安特性 60 40 20 – 0.002 – 0.004 0 0.5 1.0 –25 –50 I / mA U / V 击穿电压 U(BR) 　在二极管的两端加上电压，测量流过管子的电流，则I = f (U )之间的关系曲线为伏安特性。 – 50 I / mA U / V 0.2 0.4 – 25 5 10 15 –0.01 –0.02 锗管的伏安特性 0 2. 二极管的伏安特性 1）正向特性 当正向电压比较小时，正向电流很小，几乎为零。 　　相应的电压叫死区电压。范围称死区。死区电压与材料和温度有关，硅管约 0.5 V 左右，锗管约 0.1 V 左右。 正向特性 　　当正向电压超过死区电压后，随着电压的升高，正向电流迅速增大。 60 40 20 0 0.4 0.8 I / mA U / V 2）反向特性 – 0.02 – 0.04 0 –25 –50 I / mA U / V 反向特性 　　当电压超过零点几伏后，反向电流不随电压增加而增大，即饱和； 　　二极管加反向电压，反向电流很小； 　　如果反向电压继续升高，大到一定数值时，反向电流会突然增大； 反向饱和电流 这种现象称击穿，对应电压叫反向击穿电压。 　　击穿并不意味管子损坏，若控制击穿电流，电压降低后，还可恢复正常。 击穿电压 U(BR) 3）伏安特性表达式(二极管方程) IS ：反向饱和电流 UT ：温度的电压当量 在常温(300 K)下， UT ? 26 mV 　　二极管加反向电压，即 UD 0，且 | UD | UT ，则 I ? - IS。 　　二极管加正向电压，即 UD 0，且 UD UT ，则 　　　　　，可得 ，说明电流 I 与电压 UD基本上成指数关系。 4)结论： 　　二极管具有单向导电性。加正向电压时导通，呈现很小的正向电阻，如同开关闭合；加反向电压时截止，呈现很大的反向电阻，如同开关断开。 　　从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管的电压与电流变化不呈线性关系，其内阻不是常数，所