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Thesis Huang
Supervisor:ProfessorJianfeng
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June,2012
硅酸钇涂层及微晶的制备与性能研究
摘要
硅酸钇材料由于自身具备的一系列优异物理化学性能,引起人们的广泛
关注。基于其在高温抗氧化涂层材料、光学材料等领域的巨大潜力,本论文
对水热电泳沉积技术制备硅酸钇高温抗氧化涂层及溶剂热法制备焦硅酸钇
粉体进行了系统的研究,为硅酸钇涂层及粉体的低温湿化学法制备提供了实
验基础和理论依据。
硅酸钇在高温领域主要被用作C/C复合材料的高温防氧化涂层材料。
针对C/C复合材料在超过450℃有氧环境中极易被氧化的特点,在C/C材料
表面制备高温抗氧化涂层,为C/C材料提供高温长寿命防氧化保护,使其
在高温静态空气及燃气气氛中具备有效的抗氧化和抗冲刷能力。目前发展成
但通常存在多孔结构,难以满足长时间的高温氧化要求,因而复合涂层成为
目前研究的热点。然而,大多数复合涂层体系存在内外涂层热膨胀系数失配
的缺点,这种差异不仅会降低内外涂层间的结合强度,同时在高低温交变过
程中产生热应力,导致贯穿性裂纹的产生,最终成为氧气扩散的通道,致使
涂层失效。
本论文利用硅酸钇具备的高熔点、低高温氧气渗透率、低热膨胀系数、
热力学性能稳定,特别是与SiC良好匹配等特性,设计了一种具有SiC内层和
硅酸钇外层的双层涂层体系。采用低成本、操作简单的水热电泳沉积技术分
别制备出不同晶相组成的硅酸钇复合涂层、硅酸钇晶须增强二硅化钼复合涂
层、带玻璃密封层的硅酸钇复合涂层。借助X射线衍射仪(X】m)、扫描电
子显微镜(SEM)等分析手段研究了工艺因素、不同相组成对涂层物相组成
和显微结构的影响,同时对涂层试样进行了抗氧化性能测试。主要研究内容
和成果如下。
采用水热电泳沉积法可在C/C.SiC表面制备硅酸钇外涂层。工艺因素对
涂层的显微结构及抗氧化性能有较大影响。实验确定出的最佳工艺条件为:
沉积电压210V:水热温度120℃;沉积电流密度0.03A/cmz。
由于硅酸钇存在三种不同的晶相结构,导致不同晶相组成的硅酸钇复合
涂层与SiC内涂层之间的热膨胀系数有明显差异,最终对涂层的显微结构和
抗氧化性能有较大影响。由两种不同晶相组成的硅酸钇涂层体系,随着复合
热膨胀系数最为接近,从而得到均匀、致密、无显微裂纹、抗氧化性能优异
的复合硅酸钇涂层。该涂层在1773K静态空气中氧化100h后,失重为1.2%;
继续增加Y2Si207含量,内外涂层的热膨胀系数差异增大,涂层再次出现裂
纹,抗氧化性能随之下降。
元相图中,存在一个低膨胀区,该区包含了硅酸钇三种晶相的理论相组成点。
时,内外涂层的热膨胀系数最为接近,从而得到均匀、致密、无显微裂纹、
抗氧化性能优异的复合硅酸钇涂层。该涂层在1773K静态空气中氧化80h
后,失重仅为2.17x10。39-cm。zo
单一的MoSi2涂层虽然在C/C复合材料的防氧化领域有很好的应用,但
由于MoSi2与SiC内涂层热膨胀系数的差异,导致内外涂层间出现开裂和剥
落的现象,降低了涂层的抗氧化性能。本论文依据晶须增韧陶瓷的思想,采
涂层相比,该涂层均匀、致密、无显微裂纹,涂层基体相与晶须间界面具有
一定的结合强度,使内外涂层间的结合力明显提高。在静态空气氧化过程中,
Y2Si207晶须降低了外涂层的热膨胀系数,有效填封了原始涂层的部分细小
裂纹,阻止了裂纹的产生,阻挡了氧气向基体扩散,提高了涂层的抗氧化性
为1.48x10一g/cm2.h。
采用料浆涂覆烧结法在硅酸钇涂层表面制备了硼酸盐玻璃层,利用玻璃
层密封涂层表面缺陷,提高了涂层在燃气中的抗氧化性能。复合涂层C/C
试样在1500℃的静态空气和燃气气氛中的氧化失重分别遵从直线和抛物线
规律。燃气气氛中的温度梯度分布对碳臌复合材料的氧化失重和弯曲强度
分布均有很大影响。涂层试样在空气中的氧化失重在800℃时达到最大值,
在燃气气氛中弯曲强度的最低值分布在850℃。试样在燃气中的氧化行为分
为三个氧化区域。400℃以下为非氧化区域,400
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