矩形单元阵列磁化强度不均匀性不均匀激发实验和理论及研究.pdf

摘要 随着磁电子学的发展，磁存储和磁记录材料的巨大应用前景吸引了愈来愈多的科学家对 阵列薄膜的兴趣。磁性薄膜和小型化阵列为MRAM等磁电子学器件基础，其性能，如磁滞 回线及参数：饱和磁化强度，磁各向异性，矫顽力(开关场)等对单元尺寸，形状和单元间 距离有依赖性，成为近年来科学家重点、热点的研究课题。本论文以磁光Kerr回线、铁磁共 振为主要手段、对10nm厚、300nm宽度、矩形比分别为1、2、4的矩形单元阵列薄膜进行 了系统的实验和理论研究，并与厚度为20rim、宽度为900nm，矩形比分别为1、2和5的稍 大单元举行阵列薄膜的测量结果进行了比较。做了如下几个方面的工作： 1、电子束刻蚀亚微米矩形阵列的坡莫合金磁性薄膜的实验研究。 用扫描电子显微镜(SEM)确定了样品的成分和阵列单元的尺寸、矩形比。样品成分为 标准坡莫合金Ni80n20，阵列单元宽为300rim，矩形比为1、2、4。 用铁磁共振(FMR)和磁光克尔效应(SMOKE)对样品进行了磁性测量，并对试验结 果进行了理论拟合分析。得到如下结论： (1)矩形单元阵列薄膜确实存在着明显的面内形状各向异性，其易磁化方向沿薄膜的矩形 单元长边方向(正方单元为正方边)，难磁化方向沿薄膜的矩形单元的短边方向(正方单元为 对角线)。 (2)面内各向异性即来源于均匀磁化的退磁场又来源于非椭球单元的不均匀磁化的退磁场。 随长宽比的增加，不均匀磁化的贡献逐渐降低。 (3)在单元宽度一定的条件下，面内各向异性的大小随薄膜中单元的矩形比增加而增加。在 单元矩形比保持一定的情况下，面内各向异性的大小随薄膜中单元的宽度减小而增加。 (4)垂直膜面方向上施加外磁场时，在主共振峰的低场侧观察到一系列的有规则的小峰。我 们认为这种多峰铁磁共振谱的出现，是来自于退磁场及磁化强度的非均匀激发。激发的波矢 不是沿着薄膜的厚度方向，而是很可能沿着面内单元的短边或长边方向。 2、矩形单元中退磁场理论的数值计算 用微磁学数值计算方法研究了厚度为10nm，宽度为300nm以及矩形比分别为1、2、4 的矩形单元的退磁场大小和方向分布以及单元间相互作用退磁场的影响。研究表明： (1)矩形单元中的退磁场分布的确存在不均匀性，单元中心区域退磁场大小和方向的分 布比较均匀，单元边缘上的退磁场不但在数值上不均匀分布，而且在方向上也出现不均匀的 分布。很有可能正是由于这种边缘上退磁场的不均匀性导致了磁化强度的不均匀激发。 (2)矩形单元中的退磁场分布随矩形单元矩形比不同而变化，当矩形比减小时，单元的 中间均匀退磁场的区域边会缩小。 关键词：阵列薄膜、矩形单元、铁磁共振、Kerr效应、退磁场 ABSTRACT Studieson of with magneticproperties submicronsizeelements patternedarrays have in beencarriedout recent duetothe in years potentialapp]icationmagnetic randomaccess data of thinand memory(MRk～i)andultrahighdensitystoragemagnetic ultrathin of submicronelements the propertieswith ineluding fiIm．Magnetic arrays and saturationfieldaswellas fie]d magnetic hysteresis10