溶胶-凝胶法制备La掺杂钛酸铋薄膜和多层膜与铁电性质及研究.pdf

溶歧一凝腔法制稀La掺杂铁泼铡镪薄膜年fl多层膜技Je铁IU性质 英立提要 中文摘要 镧掺杂钛酸铋((Bi。La，)T加、：)以其商剩余极化强度、良好的疲劳强度和介电 响应快等优点，在铁电随机存储器(FRAM)上的应用前景非常广阔，是近年来人们研 究的热点。虽然在这方面的工作已经取得了可喜的进展。但要使其成功地应用于FRAM 器件上，仍有很多问题有待进一步解决，如因剩余极化强度不够大，所制得FRAM的 容量偏小还不能与现有的动念随机存储器(DRAM)等器件竞争等。现有已经生产出来 的FRAM器件的容量大约在兆(M)的量级，与现有的DRAM等随机存储器的容量差距 较大。所以有必要提高剩余极化强度来增加FRAM的容量。因此，对具有高剩余极化 强度薄膜的制备和研究是一项很有意义的工作。 本文采用溶胶一凝胶法，研究了薄膜制备工艺中的烘烤温度(即溶剂的挥发温度) 相同的情况下，烘烤温度对BLT薄膜的晶体结构、表面形貌和铁电性质均产生重要影 响。在较低烘烤温度下得到的薄膜(117)择优取向明显。但随着烘烤温度增加，薄 膜的(117)择优取向逐渐减弱。薄膜的表面晶粒形貌则从棒状逐渐转变为盘状。本 文还测量了薄膜的铁电性质，发现在250。C烘烤温度下得到的薄膜具有最大的剩余极 化强度，2Pr为28．4DC／cm2。 nnl BT Pt／Ti／SiO。／St衬底上制备了BT／BLT多层膜。该多层膜的周期为60BLT／30nm 重复三次达到所需的薄膜厚度。实验的结果显示，这样的多层膜结构能带来剩余极化 强度的增强，可以达到61心／cm2，并且薄膜仍然显示了很好的疲劳强度，表明采用多 层膜结构是一种提高BLT薄膜极化强度的有效方法。 关键词：铁电薄膜，溶胶一凝胶法，烘烤温度。多层膜 作 者：王强 指导教师：沈明荣 浒}按．糍胶法制蔷La掺杂铁限制铋薄膜和多层膜I；6乏J￡铁l乜性质 英文拦蛰 Abstract been has forthe in (Bi4。La)Ti30i2(BLT)film investigatedextensivelyapplication theferroelectrierandomaccess the oftheFRAMsis memories(FRAMs)．But development lower limitedforits thanthe randomaccess capacity dynamic to the ofFRAMsisto theremnant ofthethin keyimprovecapacity improve polarization researchforthethinfilmswith remnant isan films．Therefore，the high polarization work． important Inthis foundthe andferroelectrics