半导体第十一讲光刻胶的研究进展.pptVIP

电子束光刻中，一个倍受关注的方面是因邻近效应引起的图形畸变 由于散射电子的倾向是将邻近的不想曝光的区域曝光。这种效应用电子束曝光比用光学曝光严重得多 为了降低这个展宽效应，大多数高分辨率的EBL是在薄的光刻胶中进行。然后，图形被转移到较厚的掩蔽层上，它可被用来获得预期的图形 针对给定的光刻胶，将入射电子束能量优化。背散射范围取决于入射能量的平方，可能非常大。对于高能束来说，这种弥散效应将显著降低曝光剂量并足以阻碍覆盖在整个区域上的光刻胶的性质有大的改变 由于背散射，曝光剂量也需要进行修正 用一种新的EBL方法，扫描隧道显微镜EBL，邻近效应可完全消除 在这项技术中，将场发射探针放在极其靠近圆片表面的地方，并且通过检测来自探针尖的场发射电流，用反馈控制方法将它保持在那里 扫描电子显微镜的入射电子能量是4～50eV 这项技术已被用于使光刻胶曝光和直接进行表面修改，最小特征尺寸可达200A 对于这项技术，主要关心的是产出量，因为承片台和(或)探针尖必须用机械方式扫描 这种系统的产出量比传统电子束光刻小的多 如果一个由大的针尖阵列组成的系统能够制造出来并能控制的话，STM光刻可能变成一种可行的技术 与光学光刻不同，EBL分辨率小于任何主流IC制造或未来几年所期望的器件几何尺寸 20世纪70年代中期的电子束光刻就已具有写出小于100A宽度的线条和间距能力 现有商用电子束光刻系统现在己能够按照