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第五章 薄膜制备 烷氧基硅烷分解法 烷氧基硅烷分解法是一种含有硅与氧的有机硅化物，通常使用四乙氧基硅烷，本身在室温下为液体，使用时要加热(40～70OC)以提高其饱和蒸气压，分解成为SiO2层。 硅烷分解法 硅烷分解法是将硅烷在氧气气氛中加热，反应生成二氧化硅，沉积在晶圆上，这种方法生成的氧化膜质量较好，生长温度也较低。 2.Si3N4薄膜 Si3N4是一种在半导体器件及集成电路制作工艺中常见的薄膜，主要用作SiO2的刻蚀掩膜。由于Si3N4不易被氧所渗透，这层掩膜还可以在进行场氧化层制作时，作为防止晶片表面的活动区域被氧化的保护层。除了这种应用外，因为Si3N4对于碱金属离子的防堵能力也很好，且不易被水气分子所渗透，实验广泛地用作半导体器件集成电路的保护层。制作Si3N4采用LPCVD和PECVD均可。 3.多晶硅薄膜 利用多晶硅替代金属铝作为MOS器件的栅极是MOS集成电路技术的重大突破之一，它比利用金属铝作为栅极的MOS器件性能得到很大提高，而且采用多晶硅栅技术可以实现源漏区自对准离子注入，使MOS集成电路的集成度得到很大提高。多晶硅是在低压反应炉中(600～650OC)用硅烷热分解而得到的。 第三节 物理气相沉积法制备薄膜 物理气相沉积（PVD）是以物理方式进行薄膜沉积的一种技术，金属薄膜一般都是用这种方法沉积的。PVD主要有三种技术：真空蒸发、溅射以及分子束外延生