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《Ka波段5W GaAs PHMET功率MMIC》.pdf
第329第4期 固体电子学研究与进展 VoI.32.No.4
2012年8月 ·
RESEARCH&PROGRESSOFSSE Aug..2012
WGaAs
Ka波段5
陶洪琪’ 张斌林罡
(南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京,210096)
2011-11-25收稿,2012—12-20收改稿
扑结构,在29~32GHz频带范围内6V工作条件下线性增益25dB,线性增益平坦度小于土0.75dB;饱和输出功率
大于5W,饱和效率大于20%,功率增益大于22dB;1
dB压缩点输出功率大于36.5dBm,效率大于18%。
关键词:砷化镓功率放大器;Ka波段;微波单片集成电路
中国分类号:TN43;TN722.7+5文献标识码:A 文章编号:1000—3819(2012)04—0351.05
5WKa—bandGaAsPHEMTPower MMIC
Amplifier
TAO ZHANGBinLIN
Hongqi Gang
(&iencend
Tefhnology∞Mon。lithicIn‘t89mndCiM“西∞d删“如厶6砌w
ElectronicDevices
Naning Institute,Na彬ng,210016,CHN)
Abstract:Theand of a
designperformancepoweramplifiersdeveloped0.15ⅡmGaAs
u}ing
forKa—band is
process demonstrates25dBsmall
applicationspresented.Afour—stageamplifier
and±0.75dB flatnessfrom29GHzto32GHz.The
signalgain gain powerMMICdeliversasat—
urated than
output ofmore 5WandaPAEofmorethan20%withover22dB
power power
gain
across29GHzto32GHzatadrainbiasof6V.The MMIC an
power providesoutput of
power
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