《La0.3Sr0.7TiO3模板层对Pb(Zr0.5Ti0.5)O3薄膜的铁电性能增强效应的研究》.pdfVIP

第56卷第3期2007年3月 物 理学报 1000．．3290／2007／56(03)／1735．．06 ACTAPHYSICASINICA ⑥2007 Chin．Phys．Soc． 的铁电性能增强效应的研究* 王秀章’ 刘红日 (湖北师范学院生化分析技术湖北省重点实验室，湖北师范学院物理系，黄石435002) (2006年7月1013收到；2006年9月13日收到修改稿) 了有效的增强，同时矫顽场也增大．介电常数和漏电流的测试表明，LNO／LSTO底电极上制备的PZT薄膜具有大的 介电常数和漏电流． 关键词：PZT薄膜，铁电性，漏电流，‰．，Sro，TiO， PACC：7755，7780，8115 匹配的原因严格与衬底一致．最常用的制备方法是 1．引 言 脉冲激光沉积方法u7|，分子束外延方法也被采用来 制备SrTiO，薄膜u8|．溶胶一凝胶方法制备薄膜材料 近年来，铁电薄膜由于其在存储器、光电器件等 具有很多优点，如工艺简单、成本低、可制备大面积 领域的潜在应用，而得到了广泛研究与极大关 均匀薄膜等．相对前两种方法，关于SrTiO，薄膜的溶 注¨_6。．人们在制作上述各种铁电器件时，普遍采用 Pt／Ti电极作为铁电薄膜的电极材料．然而，由于Pt／ Ti电极的使用，导致铁电薄膜出现老化、疲劳等问 9|．Thomas 英衬底上制备了随机取向的SrTiO，薄膜n 题。川．为了解决上述问题，人们发现，如果采用‰， Sro5C003，YBa2Cu307一d’，LaNi03(LNO)以及SrRu03 胶一凝胶方法在si基底上制备出了随机取向的薄 等类钙钛矿结构的导电金属氧化物，来代替金属作 膜，在750℃退火的条件下获得了良好的结晶．鉴于 为底电极，可以大大增强铁电薄膜的抗疲劳特 SrTiO，良好的绝缘性，通常对其进行A位高价离子 性∽_10|．其中，LaNiO，薄膜成为铁电薄膜底电极的 的替代改性m]，Ⅱu等用脉冲激光沉积方法制备了 首选材料之一¨卜13J．这主要是因为LNO薄膜不仅具 有较低的各向同性的电阻率(室温下电阻率约为 225扯Q·cm)[14，而且其晶胞参数(o=0．384nm)与 优良的PZT薄膜”川． PZT铁电薄膜非常接近，使之不仅可作为电极材料， 而且还可以作为籽晶层来优化铁电薄膜的结构和性 能．目前，人们已经利用物理方法在si衬底上制备 同的方法沉积了LNO底电极，最后在LNO底电极上 ’ 出了择优取向的LNO薄膜¨5。．而SrTiO，单晶因为具 有钙钛矿结构也被广泛用作衬底或模板层来制备铁 上的PZT薄膜的铁电性和介电性进行了对比研究， 电薄膜¨6|，制备出的铁电薄膜的取向通常因为晶格 获得了增强的铁电和介电性能． 研究生启动基金(批准号：2004J04)等资助的课题． t E—mail：wxzhgl@sohu．com 万方数据 物 理 学 报 56卷 2．实 验