《Nb5+掺杂改性CaBi4Ti4O15压电陶瓷的研究》.pdfVIP

第32卷第2期 《陶瓷学报》 V01．32．No．2 2011年6月 JoURNALOFCERAMICS J吼．2011 Nb5+掺杂改性CaBi4Ti40，5压电陶瓷的研究 洪燕 李月明 沈宗洋 王竹梅 廖润华 李润润 刘虎 (景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院，江西省先进陶瓷材料重点实验室，江西景德镇333403) 摘要 压电陶瓷压电与介电性能的影响。研究结果表明：添加N铲离子，改善了cBT陶瓷的烧结特性，提高了瓷体的致密度。Nbp。的引 状压电陶瓷具有优异的压电性能：d庐14pC／N，Q产3086，8印12，t锄8=0．004l，Ⅻb产1．681。 关键词铋层状；介电性能；压电性能；CaB诳1p碍 中图分类号：TQl74．75文献标识码：A 陶瓷，并研究其介电性能和压电性能的变化规律。 O前言 1实验 铋层状结构材料因其具有居里温度高、介质损耗 低、介电击穿强度大、各向异性大、电阻率高等优点， 适合应用于高温、高频无铅压电陶瓷领域嗍。铋层状 结构化合物晶体结构是Bi20尹层和包含有B06八面 体伪钙钛矿层有规则的相互交叠而成，它的通式为： 照相应化学计量比称量，其中Bi2【)3过量8％一10％， 行星球磨8h混合均匀。混合好的物料，在85删℃ (Bip2)1A+。Bmo蛳旷。式中：A为一价、二价、三价离 子或其混合离子，B为四价、五价或六价离子，Ⅱl=l一5保温2h预烧后再球磨8h，添加PVA造粒，压制 之间的整数，对应于伪钙钛矿结构B06八面体的层数。 (一12MPa)成直径为10mm，厚度为1咖的圆片。圆 000—l h 片在600℃保温2h排胶后于l 150℃保温3 CaB删40．5(CBT)是一种典型的m=4的铋层状 结构无铅压电陶瓷材料。单纯的cBT居里温度高烧结，将烧结好的陶瓷圆片上下两面磨平，被银，在 kV恤m 850℃烧银。置于180℃的硅油中，施加3—8 (775℃)，但机电耦合系数小(10％)，压电常数小 极化20min，放置24h后测其各项电性能。 (d嚣一7pC／N)m，为了克服这一缺点，对该类陶瓷进行 了大量掺杂改性研究，包括SP嘲、C垆网、M矿嘲、(Lj+、 型d嚣测量仪上测量d稿值。利用X射线粉末衍射仪 Na+、K+、Ce’胁、w“圈对(klBmo洲严的A位、B位和 A尼位进行取代。卜n产为高价B位取代，当掺杂量较 (D8 小时嘲，可以降低氧空位浓度，使电导率急剧下降，从 而保证材料得到充分极化，可以有效改善CBT陶瓷 的压电与介电性能。可对于Nb叫参杂改性CBT陶瓷 的物相、显微结构及其压电和介电性能变化规律的研 系数(k1)和机械品质因数(Q衄)，并测量其介温曲线。 究还不完全。因此本文采用Nb钾高价B位掺杂cBT 收稿日期：2010_12一毖 通讯联系人：洪燕，E-硼ail：h∞gy柚岫lll7@163．锄 万方数据 陶瓷学报)2011年第2期 苕i3}ao■目 2一dlc口 图1CBT—N样品的XRD图谱 围2CBT—N陶瓷烧结温度随掺杂量x变化曲线