《RE(NiCoMnTi)5合金不同放电深度下的交流阻抗谱》.pdfVIP

物理化学学报(H包“H“似“ex“P6∞) 1086 ^cm P坶_-∞j研．S眺，2001，17(12)：1086—1091December RE(NiCoMnTi)s合金不同放电深度下的交流阻抗谱+ 朱光明1 雷永泉2 成少安， 杨晓光： 王启东z (1厦¨大学化学系崮体表面物理化学国家重点实验室，厦门 361005： 2浙江大学材料科学与工程系新材料与材料物理研究所，杭州 310027． 3浙江大学化学系．杭州 310027) 摘 要 研究了．La(NicoMnTi)，、Ce(NicoMn of 电深度(DOD．出pmdischa唱eJ下的交流阻抗谱结果表明，在金属相a、氧化物相口和n+口褶区，台金有明显 不同的放电动力学特征 在s0％DOD时，四种台金表面吸附电阻尺。和法拉第阻抗腓分别与它们的最大放电容 鼙C…。和高倍率放电率x呈近似的线性关系，即只。和徘越小，岛…和x分剐越大 关键词： 贮氧电极合盒， 交流阻抗， 稀土， 放电深度(DOD) 对于贮氢电极合金粉末与铜粉一起冷压而成或 大小、扩散系数和氢化物分解时的相变等有密切的 与石墨等导电剂一起用高分子材料粘接而成的多孔 关系，因此可以通过比较不同成分贮氧电极台金的 交流阻抗谱来研究这些性质对放电过程动力学影响 贮氩电极而言，其交流阻抗谱的Nyqulst图上通常 会出现两个半圆““．其中高频区的半圆是由氢原 的规律． 子在电极表面上的电化学反应引起的，其半径与电 本文利用交流阻抗谱来研究由La、ce、Pr、Nd 镀表面的电化学活性有关；低频区半圆则是由氢原 四种纯稀上金属组成的单一纯稀土系ABI型贮氢 子在电极表面的吸附引起的，其半径随放电时间的 增加而增大，亦即与放电深度有关8…．电极过程动 不同稀土元素对合金电化学性能的影响规律，为电 力学的研究表明，低频区半圆本质上是由氢在台金 池用混合稀土成分的优化提供参考 选择La、ce、 中的扩散引起的，丽氢在合金颗粒表面的吸附与电 Pr、Nd四种轻稀土元素作研究对象是因为它们是富 子转移反应和氢的扩散过程都有关系．因为氢原子 铈混台稀上Mm和富镧}昆合稀土M】中的主要组 在电极表面的覆盖度口既是氢扩散的终态浓度，又 成元素，研究表明，在混合稀土系ABs型贮氢电极 是电极反应的反应物浓度“5“1．p的变化反映了控 合金中，这四种元素的相对含量对电化学性能有很 制步骤在电子转移反应和扩散之间转移的情况．有 重要的影响““”I 研究表明，当一个电化学反应包括氢在电极内部的 扩散或与此扩散相平行的Tafel析氢反应时，8将随1 实验方法 电极电势的变化而变化，贮氢电极的低频区半圆正 将原料金属按化学计量比t昆台，在扣式真空电 是由这种变化引起的“…．由于Tafel反应通常发生弧炉水冷铜坩埚中500kPa氩气保护气氛下熔炼成 在过电位较大的情况下，而电化学交流阻抗是在平 RENi38￡瓯75Mnn-Thns合金(RE=La，Ce，Pr，Nd)． 衡电镀电位附近加上一个幅度很小的扰动信号，因 为使成分均匀，每个合金翻身苇炼3—4次，并在真 此低频区半圆主要反映的是氢在电极内部的扩散情 空下封在石英玻璃管内，在(】050±1o)℃马弗炉中 况氢的扩散与合金本身的性质，如表面状态、颗粒 遐火lOh．然后将所得台金敲碎后在研钵中磨成 200卜0j．2l收到胡稿．200卜082l收到修改稿 联系人：朱光明(BInan educn) ‘国家自然科学基金 gzhu@JlngxIan腼】u 59∞1008)手廿茸家863高新技术i}划(715，004一0