《导电PEDOT膜的液相沉降聚合及应用研究——全加成线路板制作的可行性》.pdfVIP

第 8卷 第 1期 材 料 研 究 与 应 用 Vo1．8，NO．1 2014年 3月 M ATERIAISRESEARCH AND APPIICATION Mar．2O14 文章编号：1673—9981(2014)01—0046—06 导 电PEDOT膜的液相沉降聚合及应用研究 — — 全加成线路板制作的可行性* 李建雄 ，张美娟，王 炯 ，刘安华 华南理工大学材料科学与_T程学院，广东 广州 510641 摘 要：为开发全加成 PCB制作新工艺，将水解PI膜浸入Hz 和F 1。溶液后再浸入 EDOT溶液，研究 EDOT原位聚合新方法，分析 、厂乙JV辐射对PEDOT导电性的影响和在掩膜下制作导电图纹，以SEM揭示 在导电PEDOT上电镀铜箔的形成．PI膜经 H2(]2和 C1s溶液浸泡可引入mmol／ 量级的过氧基团和 FeCI。，于EDOT溶液中与滞留层中的EDOT反应，形成PEDOT膜，使PI的表面电阻降至400a／口；Ⅵ Ⅳ 照射使PED(YI的导电性下降，可透过掩膜制作导电图纹；在电解池中导电PEFX)T可传递电子使铜离子 还原，沉积于导电PED(YI表面，形成针状晶核，再发育成枝晶、纺锤晶和连续铜箔，将导电图纹转化成铜 线图纹． 关键词：聚乙撑二氧噻吩；原位氧化聚合；真空紫外；选择性金属化；全加成线路板 中图分类号：TQ32 文献标识码：A 聚 3，4一乙撑二氧噻吩(PED()T)是具有连续共 薄膜，固态氧化剂的强酸性易引起 ED()T的加成聚 轭 兀键的导电高分子，可表现出类似金属的导电性、 合副反应[6j，导致PEDOT链的共轭缺陷． 玻璃的透明性和常用塑料的稳定性．预期 PEDOT 目前，印刷线路板多以覆铜板为原料经光刻工 膜作为透明电极在柔性 电子、柔性显示、电子纸、太 艺制作，大部分铜箔被刻蚀溶解，产生重金属离子含 阳能电池和电致变色器件等领域有广阔的应用前 量高的废液．溅射 Cr／Cu金属膜或钯／iN活化后再 景[．然而，PEDOT不溶不熔，难以加工成膜．虽然 经光刻和电化学沉铜，也可在基材表面制作铜线图 PED()T与聚对苯乙烯磺酸络合物 (PED()T／PSS) 纹，但成本高昂，仅用于高密度柔性线路板．人们希 的水分散体能涂布成膜_2]，但PSS是非导体，吸湿 望以低成本的全加成法在基材表面直接制作铜线图 性强，所得膜的导电性和可靠性低 ，不能满足市场要 纹，省去光刻工艺，减少资源消耗．连续 丌共轭是本 求．如何制得高品质导电PEDOT膜是亟待解决的 征导电高分子的特征结构，平面共轭的损坏将使材 课题．许多科技工作者致力于ED()T原位氧化聚合 料的导电性褪变．氙准分子真空紫外 (VUV)光源的 的研究_3]，希望直接将单体在基材表面转化为导电 辐射输出集中在 172nm附近l7]，光子能量约 7．2 PEDOT膜．探索的方法包括直接聚合法、溶液聚合 eV，高于多数化学键的键能，可激起材料结构和性 吸附法、化学气相沉积法 (CVD)_4和气相沉降聚合 能的变化_8]．借助掩膜，氙准分子 VUV辐射应可在 法(VPP)_l5]．其中，VPP以EDOT蒸汽沉降到氧化 PEDOT膜上制作导电图纹． 剂膜聚合所得PED()T的规整度高，导电性好，优化 本文参照VPP沉降聚合的概念，将附有氧化剂 条件下所得 PEDOT膜的电导率可达 3400S／cm， 的聚酰亚胺 (PI)膜悬挂于 EDOT溶液 中，催化 表面电阻45Q／口[5]．但 VPP不适用于制备大尺寸 EDOT单体在PI表面的滞留层聚合，研究导电PE— 收稿 日期i2013—11—18 作者简介：李建雄(1957一)，男，湖南益阳人，副教授，博士 第 8卷 第 1