模拟电子技术基础 作者 沈任元 第四章 场效应晶体管及其放大电路.pptVIP

第四章 场效应晶体管及其放大电路 4.1 单极型晶体管 4.2 场效应管基本放大电路 4.3 应用电路介绍 简介 场效应管属于另一种半导体器件，尤为突出的是：场效应管具有高达107～1015的输入电阻，几乎不取用信号源提供的电流，因而具有功耗小、噪声小、体积小、抗幅射、热稳定性好、制造工艺简单且易于集成化等优点。 根据结构的不同，场效应管可分为结型和绝缘栅型两大类，它们都只有一种载流子(多数载流子)参与导电，故又称为单极型三极管。其中绝缘栅型应用更为广泛。 4.1 单极型晶体管 （FET） 绝缘栅型场效应管的结构是金属－氧化物－半导体，简称为MOS管。MOS管可分为N沟道和P沟道两种，每一种又可分为增强型与耗尽型两种型式。本节将以N沟道为例，说明绝缘栅型场效应管的结构和工作原理。 （1）工作原理 上述这种在时没有导电沟道，因而必须在时才形成导电沟道的场效应管称为增强型场效应管。 2）漏源间电压和栅源电压 对漏极电流 的影响 当 时，若在漏-源之间加上正向电压时，则将产生一定的漏极电流。此时， 的变化会对导电沟道产生影响。 即当 较小时， 的增大使 线性增大，沟道沿源-漏方向逐渐变窄，如图4-3 a)所示。 一旦 增