4h-sic in结同位素电池的研究.pdfVIP

摘要 碳化硅材料具有禁带宽度大，抗辐照能力强等特点，利用其制备的PiN同位 素电池具有输出电压高，抗干扰能力强，受外界温度、压力、电磁场等影响小， 可长期稳定工作等优点，有着广泛的应用前景。 本文针对基于碳化硅PiN二极管结构的同位素电池进行了研究，主要研究成 果如下： 一、使用蒙特卡罗软件MCNP模拟单能电子在金属中能量淀积情况，证明了 金属对B射线具有很强的阻挡能力，在此基础上设计了5种不同形状的电极；模 拟Ni．63 B射线在SiC中的能量淀积，结果显示Ni．63p射线在碳化硅中能量的淀 积随入射深度的增加而指数递减，因此pn结空间电荷区应尽量靠近表面以达到高 的电荷收集效率。根据能量淀积情况设计p+层厚度为0．3pro，i层厚度为3．5lun。 二、建立了同位素电池的基本模型，根据模型估计了设计的同位素电池的性 能参数，并分析了理想因子、串并联电阻、反向饱和漏电流、放射性活度等对电 池性能的影响。模拟结果显示，理想因子越大，输出电压越大；串联电阻较小时 影响不明显，但大于5×107Q时，填充因子会明显下降；并联电阻主要影响填充因 子，并联电阻越大，填充因子越大；反向饱和漏电流对开路电压有显著的影响， 其值越小，电池的开路电压越大；放射性活度增加，电池的开路电压短路电流都 会提高，但电流提高效果更为明显。 三、研究了制备同位素电池的主要关键工艺，确定使用CVD法外延形成PiN 结构，使用台面结构进行器件隔离，P型欧姆接触使用Ti／AI／Au，厚度分别为 验工艺流程，制作光刻版，制作了4H．SiCPiN结同位素电池样品。 四、对制作的样品进行了测试，TLM测试结果显示P型欧姆接触性能良好， 报到的碳化硅P型欧姆接触的最低阻值。从测得的PiN二极管I．V特性曲线中观 察开启电压约为3V，提取理想因子约为2．4，反向饱和漏电流密度为10。13A／cm2。 五、对碳化硅材料其它基于p射线伏特效应的器件进行了初步研究，提出了 摘要 肖特基同位素电池的改进方案及将碳化硅三极管用于p射线探测器的构想。 关键词：碳化硅PiN二极管同位素电池核电池p射线辐射伏特效应 Abstract Abstract Silicon awide semiconductor、析nl carbide(SIC)isbandgap good toits谢de circuit ofSiCPiN ability．Due bandgap．theexpectedopen voltage junction has is also anti-interference batteryhigh．111e radioisotope battery strong affectedtheoutside and field．The has electromagneticbattery by temperature，pressure a future． prospective SiC witllthePiNstructureisstudiedinthis radioisotopebattery paper’main researchachievementsareasfollow： The of electronsinmetalsfiresimulatedwith