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N型金属诱导横向结晶TFlr交直流应力下的器件退化研究 中文摘要 N型金属诱导横向结晶TFT交直流应力下的器件退化研究 中文摘要 本文分别研究了的n型金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管在直流自加热应力和 栅极施加脉冲应力下的退化和机制分析。具体研究了器件在不同的应力条件和与时间 的依赖关系，并分别提出了器件退化的物理模型。 直流自加热应力下，退化过程可分为两个阶段，在初始阶段，器件性能有少许提 高，退化现象并末发生。而常规退化阶段，性能大幅退化。通过有限元模拟沟道温度 的分布，提取的激活能结合浮体效应解释退化初始阶段变化的原因，而阈值电压退化 明显的第二阶段是由于晶界处强Si—Si键在高温下断裂所造成的。并首次观察到场 效应迁移率的异常增加和平移，有效迁移率的引入解释为场迁移率增加的原因，而平 移则取决于阈值电压的退化。 在栅极施加电压脉冲应力条件下，实验分别考虑脉冲上升沿、下降沿、脉冲个数 (周期)和基准电压对退化的影响，器件的转移曲线显示亚阈值区没有变化，呈现出热 载流子退化的典型特征。最后，对栅极交流应力的退化机制提出热载流子有二个来源： 栅压降到耗尽区以下时，在源、漏极两端附近耦合出的水平瞬态电场是产生热载流的 一个原因。当栅电压全部进入强反型时，栅电压下降时耦合的瞬态负压在源、漏极两 端产生的PN结处出现耗尽区域则是热电子的第二个来源。 关键词：金属诱导横向结晶，薄膜晶体管，直流自加热退化，浮体效应， 热载流子效应 作 者：王槐生 指导老师：王明湘 Abstract Research ThinFilmTransistorsUnderDCandACBiasStress ofMILC Degradation n-TypePolysilicon ResearchofMetalInducedLateral Degradation ThinFilm Crystallizedn··TypePolysilicon Transistors under Bias DCandAC Stresses Abstract T11is aimsto thedevice of metalinducedlateral investigate n·type paper degradation siliconthinfilmtransistorsunderDC stressand crystallizedpolycrystalline self-heating AC two stressbiasandtime device stress．Consideringkeyaspects：different duration，the modelare tOunderstandtheobserved degradationproposal phenomena，respectively． In behaviorscanbedividedintotwo the self-heatingstress，degradation stag