gan基谐振腔构发光器件研究.pdfVIP

摘要 摘要 GaN基宽禁带半导体材料具有优异的物理和化学特性，其合金材料的禁带 宽度在0．7．6．2eV之间连续可调，对应的光波长覆盖红外．可见．紫外光范围且任一 组分的合金均为直接带隙，已被广泛应用于制作高效率半导体发光器件。尤其是 蓝绿光波段的发光器件，是国际研究的热点，其结构和性能不断得到优化和提高。 设计和制作新型结构的发光器件是提高器件性能的一种有效途径。本论文围绕 GaN基谐振腔发光器件的研制，在结构设计、材料生长、器件制作、性能测试等 多方面进行了细致深入的研究工作，主要内容和成果如下： 1)通过计算和分析谐振腔结构中DBR反射特性和光渗透深度，光场的驻波 分布及器件的工作特性包括谐振模式、品质因子、自发发射因子和光限制因子， 为GaN基谐振腔发光器件结构的设计和制备提供了理论依据和参考。 2)采用MOCVD方法制作出表面形貌良好的高反射率A1N／GaNDBR，与利 合谐振腔发光器件并进行了特性测量和分析。在光泵浦情况下，腔的品质因子可 达372，高于部分已报道的结果，表明制作的腔性能良好。对RCLED的电学性质 的分析说明利用腔结构可大大改善LED的器件性能，可明显改善发光效率下降现 象。 构，HRXRD测试结果可以观察到明显的多量子阱卫星峰，表明量子阱结构具有 GaN基谐振腔发光器件制 较好的界面和晶体质量。系统地研究了全介质膜DBRs 备中的关键工艺：通过优化激光能量密度、光斑形状以及键合参数，获得了表面 平整度良好的GaN夕b延层激光剥离条件；以高反射率介质膜DBR作为反射镜，利 用键合及激光剥离技术，成功制备了全介质膜DBRGaN基谐振腔发光器件，在 室温光泵条件下观察到了GaN基谐振腔发光器件蓝光和蓝绿光激光发射，实现目 前报导最长波长GaN基VCSEL的光泵浦激射，激射波长为498．8nm。 4)使用电镀金属基板进行GaN外延层的薄膜转移时，器件划片必须使用切 割机或激光进行切割，用这种方法会出现金属基板卷边和喷溅而导致短路等不良 问题。为了克服这类问题，通过优化图形化电镀技术和键合技术开发出自分裂薄 ——————————旦型世丝业皇 膜转移技术，提供了一种避免金属基板切割的有效方法。并在此基础上制备了银 镜·介质膜DBRG a_N基RcLED器件，在520啪处观察到其谐振模式半高宽为 5．Snm，对应的腔品质因子约为100。 关键词：GaN；谐振腔发光二极管；面发射激光器；自分裂薄膜转移。 II Abstract Abstract semiconductorsare studiedduetotheir GaN．-basedwide--band gap beingwidely andchemical andits havetunable outstandingphysical properties．GaNternaryalloys thewholevisible band cover spectral energygaps，which semiconductorsarealldirectband have for semiconductors，which gap greatpotential and emissiondevices fortheblue stru