并五苯有机场效晶体管的研究.pdfVIP

摘要 有机场效应晶体管(OFET)是一种新型的电子器件，是利用电场来控制固体 材料导电性能的有源器件，有机场效应晶体管因具有：低成本、柔韧性、可实现 大面积加工等一系列无机场效应管所不具备的优点受到越来越多的关注。经过十 几年的发展已经取得了巨大的进展，已成为重要的电子器件之一。 本文回顾了有机场效应晶体管的研究背景、发展历史、应用领域及目前研究 存在的热点研究问题。简要概述了有机场效应晶体管的器件结构及有机半导体材 料。介绍了有机半导体的两种导电类型、金属电极与有机半导体的能带关系、及 目前有机半导体中较具影响力的载流子传输机制和金属／有机半导体接触理论。 从有机场效应晶体管的基本工作模型和I-v方程两个方面论述了OFET的基本工 作原理。讨论了有机场效应管中的载流子迁移率的物理意义，并且介绍了场效应 迁移率的计算方法。 本文重点介绍了并五苯OFET器件研究的相关工作。我们从实验室具体条件 出发，分别以旋涂聚酰亚胺和热生长Si02为栅绝缘层，以铝、金等金属为电极 制备了OFET，对器件的制备工艺进行了详细的描述，对薄膜的形貌利用AFM 进行了表征，并且获得了较好的I．V特性曲线。计算得到以聚酰亚胺为绝缘层的