多频段下一代通系统射频前端微波无源器件新设计.pdfVIP

摘要 摘要 本文主要探讨了在各国不同频带标准下设计多频段下一代4G通信系统射频 前端时所使用的薄膜无源器件设计以及系统搭建优化处理。针对现有WiMax以 及未来LTE系统的不同标准频段使用安森美提供的设计工艺提出了自己的设计 以及仿真结果，具有较高的实际应用价值．本文所采用的SIP方法能够大大加速系 统设计和集成的速度，具有很高的灵活性．本文设计的无源器件既可以作为整 体基板集成使用，搭配数字基带和有源砷化镓器件既可组成完整的无线通信系 统，同样也可以作为独立器件单独封装使用，通过倒装片与金线绑定等多种方 式使用在无线通信系统中，由于硅基板工艺与传统的晶圆代工厂工艺高度兼 容，可以极大地降低成本，同时拥有很好的尺寸和性能。 本文首先对于微波集成电路现有流行的各种技术予以了介绍和分析，对于 各种技术的优缺点有着深入的分析，提出采用现有模拟IC代工厂所常用的硅基 工艺制作无源器件，对于困扰硅基器件的片上电感品质因素提高的问题，在分 析传统和改进型高Q值模拟IC工艺的基础上，进一步提出采用晶圆封装工艺的 WLCSP技术，以在晶圆代工厂制作片上电感的步骤基础上在封测厂后道制作叠 层电感，通过版图级仿真和实际测量