掺铟二氧化锡薄(ito)的制备及其性质研究.pdfVIP

论文摘要 二氧化锡(Sn02)作为一种典型的II型且有较宽的直接带系的宽禁带金属氧化 物半导体材料(Eg=3．6eV)，具有稳定的物理化学性质，例如较好的导电性能、光 学性能、热稳定性和抗腐蚀性，因此Sn02已被广泛应用于气敏半导体材料、太阳 能电池、化学电极、透明导电薄膜等很多领域。因为纯二氧化锡薄膜的电阻率较高， 其载流子浓度由氧空位决定，而且难以控制，所以一般都通过用掺杂的方法来降低 薄膜的电阻率并使其能够保持良好的光透射率。同时研究也表明，如果在二氧化锡 中掺杂一些金属，例如铟、铝等，就可以形成较好的透明薄膜。这些基于二氧化锡 的透明薄膜具有良好的光学特性和电学特性，而且有着较好的安全性，并可用于对 一些有害气体的监测，是一种价格低廉、性能优良的氧化物半导体薄膜材料。 当前国内外热衷于研究各种不同掺杂物的二氧化锡的性能，例如掺铟的二氧化 锡，即所谓的ITO，是目前国内外电子应用中一种非常有用的且比较热门的半导体氧 化物材料。ITO有着良好的吸附性，因此在气敏传感器方面占据了越来越重要的地 位。目前制备ITO薄膜的方法很多，主要包括：溅射法、蒸发法等，但这些方法需 要大型设备的支持，而且价格比较昂贵。本文采用溶胶凝胶法即s01．gel法制备ITO 薄膜，并在材料中掺杂了