氮化镓基微型同素电池的研制.pdfVIP

摘要 基于半导体P．N结的直接能量转换式同位素电池的研究最早开始于上个世 纪50年代。随着微机械电子系统(MEMS)技术的快速发展，硅(Si)基、碳化硅(sic) 基直接转换式微型同位素电池正成为近10年来MEMS微能源领域的研究热点， 并已经取得了初步成果。但更高禁带宽度的半导体氮化镓(GaN)，由于受到材料 生长技术水平的局限，虽有一些研究小组在做尝试性研究，目前为止并没有取得 有意义的实验性结果。本文首创性的把补偿掺杂技术应用于GaN基微型同位素 电池的研究中，详细介绍了基于第三代宽禁带半导体材料GaN的微型同位素电 池的研制，内容包括辐射源辐射的Beta粒子在GaN材料中输运轨迹和能量沉积 的蒙特卡罗模拟、电池参数设计、GaN材料生长、电池器件的实验制备、电池 性能测试与分析等。通过补偿掺杂Fe，获得低电子浓度的N型氮化镓作为吸收 层，补偿掺杂后的电池相比同种结构的非故意掺杂的电池，开路电压提高3倍， 短路电流增大50％。通过对比补偿掺杂后不同吸收层厚度的P-I-N结构电池的输 出，验证了理论模拟和电池参数设计的正确性。以63Ni作为辐射源，研制的2 ×2 mCi的低放射活度辐射下，开路电压最大 mm2的GaN