集成电路铜互连钽硅氮扩散阻挡层的制备及其阻挡特性研究.pdfVIP

摘要 随着集成电路集成度的提高以及特征尺寸的不断下降，传统的 Al金属化布线已经不能满足器件发展要求。Cu由于具有低电阻率和 高抗电迁移能力可作为Al的替代材料。但Cu与介质层的粘附性差， 且铜易扩散进入硅与二氧化硅成为深能级杂质，并且在较低的温度下 就会形成铜与硅的化合物，从而影响器件的可靠性。因此，需要在 Cu与Si之间加入扩散阻挡层来有效地阻挡Cu向Si中扩散，同时改 善Cu膜与基体的结合能力。 在综合分析比较了各类阻挡层制备方法、性能特征的基础上，本 11)衬底上制备出了不同Si、N 文采用双靶磁控反应溅射法在P型Si(1 品的方块电阻、表面形貌、晶体结构、成分等特性进行了表征分析。 实验结果表明，Si、N掺杂有利于改善Ta基阻挡层的阻挡性能。 Si的掺入能有效抑制钽的氮化物结晶，且随着Si含量的升高，Ta—Si-N 阻挡层的非晶化程度提高；而通过向Ta．Si薄膜中掺入N则能有效抑 制钽的硅化物结晶，使沉积态的阻挡层由纳米晶转变成非晶态。 相关。固定N2／(N2+Ar)流量比时，Si靶溅射功率应存在一最优值，使 阻挡性能达到最好。当Si靶功率过大或过小时，阻挡性能较差。在