非挥发性存储器物理机制和tcad模拟.pdfVIP

l，J●■■●-…=” ———————÷删㈣ 摘要 随着半导体集成电路制造业在中国的迅猛发展，为了降低研发成本和提高集 成电路的成品率，各大公司越来越需要有专业的模拟工具对半导体器件结构和阵 列进行准确的性能评估，并在性能评估的基础上再对器件结构进行相关的参数优 化和整体折中，目前半导体工艺与器件模拟即TCAD工具已经在半导体电路制造 业中发挥着越来越重要的作用。本文专注于半导体器件中的存储器件，而目前流 行的存储器件都是在金属一氧化层一半导体一场效晶体管(MOSFET)的基础上改造 而成的。闪存(FlashMemory)是非挥发性存储器(Non—VolatileMemory)的 典型代表，本文将以闪存为基础来介绍非挥发性存储器的概念、应用和实现非挥 发行的物理机制，讨论存储器中各种重要的微观物理现象和导致存储性能退化的 可能因素。本文解释了三种非挥发功能的实现方式：浮栅存储器(Floating Gate)，硅一氧化物一氮化物一氧化物一硅(SONOS)存储器和纳米晶存储器 (Nano-CrystalMemory)，并比较了三种结构的优点和缺点。最后本文比较详细